| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-12 16:35 三次元フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス抑制 ○鈴木敦也・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大）  ED2016-65 CPM2016-98 LQE2016-81 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2016-65 CPM2016-98 LQE2016-81 |
|
| 抄録 | （和） | ゲート－ドレイン間にフィン状に形成された複数の溝をもつ新しいフィールドプレート(3DFP)を有するAlGaN/GaN HEMTを作製し、電流コラプスの抑制効果について調べた。従来のゲートフィールドプレートと比較して、3DFPデバイスでは動的オン抵抗の増加の程度が小さく、ほぼ完全な電流コラプスの抑制（規格化オン抵抗1.1以下）に成功した。3DFPの溝深さと動的オン抵抗の関係から、溝内部に形成された3DFP電極下部の深さが2DEG層の深さと一致するとき、電流コラプスが最も有効に抑制されることが明らかとなった。 |
| （英） | We have fabricated a novel AlGaN/GaN HEMT with a multi-grooved and fin-shaped gate field-plate (G-FP), and studied its effect on the current collapse. Compared to the conventional gate FP device, the novel HEMT with a 3-dimensional FP (3DFP) structure exhibited a minimum increase in the dynamic on-resistance, demonstrating that an almost perfect collapse-free operation was achieved with a normalized dynamic on-resistance of less than 1.1. The results of groove depth dependence indicated that the current collapse in 3DFP HEMTs was most effectively suppressed when the groove depth was adjusted so that the bottom of the 3DFP electrode was aligned with the depth of 2-dimensional electron gas (2DEG) in a GaN channel. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN HEMT / 電流コラプス / 3DFP / / / / / |
| （英） | AlGaN/GaN HEMT / Current Collapse / 3DFP / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 356, ED2016-65, pp. 41-44, 2016年12月. | |
| 資料番号 | ED2016-65 | |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-65 CPM2016-98 LQE2016-81 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2016-65 CPM2016-98 LQE2016-81 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2016-12-12 - 2016-12-13 |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-12-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 三次元フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス抑制 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduced Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs with a 3-Dimensional Field Plate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 電流コラプス / Current Collapse |
| キーワード(3)（和/英） | 3DFP / 3DFP |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 敦也 / Suzuki Atsuya / スズキ アツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | ジョエル アスバル / Joel Asubar / ジョエル アスバル |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徳田 博邦 / Tokuda Hirokuni / トクダ ヒロクニ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. Fukui) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛原 正明 / Kuzuhara Masaaki / クズハラ マサアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. Fukui) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-12 16:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-65, CPM2016-98, LQE2016-81 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.356(ED), no.357(CPM), no.358(LQE) |
| ページ範囲 | pp.41-44 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]