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講演抄録/キーワード
講演名 2016-12-12 14:15
自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ~ 表面処理の影響 ~
塩島謙次永縄 萌福井大)・三島友義法政大ED2016-60 CPM2016-93 LQE2016-76 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-60 CPM2016-93 LQE2016-76
抄録 (和) GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に(i)劈開のみ、(ii)H2O2による故意酸化、(iii)HCl洗浄の3種類の表面処理条件を用いてショットキー電極を形成し、電気的特性の評価を行った。劈開のみの試料のI-V特性は、電極間のばらつきが少なく、良好なn値を示した。しかし、H2O2処理した試料は、表面処理なしの試料に比べ、ショットキー障壁高さがはるかに小さい値を示した。 一方、HCl処理した試料は、電極間の特性のばらつきが著しく大きい結果となった。 c面Ga極性で良く用いられているHCl処理は劈開m面n-GaN表面に対しては有効ではなく、劈開のみの方が清浄であることを確認した。 
(英) We fabricated and characterized Au/Ni Schottky contacts on cleaved m-plane free-standing n-GaN surfaces (i) without any surface treatment, (ii) with H2O2 treatment, or (iii) with HCl treatment. The as-cleaved samples showed I-V characteristics with small n-values and less diode-to-diode variation. However, the H2O2 samples had much smaller Schottky barrier height. Whereas the HCl samples exhibited significantly large diode-to-diode variation. It is confirmed that cleaving without any surface treatment can provide a cleaner surface to form Schottky diodes on m-plane n-GaN surfaces than that with conventional HCl treatment.
キーワード (和) m面GaN / 劈開 / 表面処理 / ショットキー接触 / / / /  
(英) m-plane GaN / cleaving / surface treatment / Schottky contact / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 356, ED2016-60, pp. 15-20, 2016年12月.
資料番号 ED2016-60 
発行日 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2016-60 CPM2016-93 LQE2016-76 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-60 CPM2016-93 LQE2016-76

研究会情報
研究会 CPM LQE ED  
開催期間 2016-12-12 - 2016-12-13 
開催地(和) 京大桂キャンパス 
開催地(英) Kyoto University 
テーマ(和) 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 
テーマ(英) Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2016-12-CPM-LQE-ED 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 
サブタイトル(和) 表面処理の影響 
タイトル(英) Effect of Surface Treatment in Au/Ni Schottky Diodes Formed on Cleaved m-Plane Surfaces of Free-Standing n-GaN Sub-strates 
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英) m面GaN / m-plane GaN  
キーワード(2)(和/英) 劈開 / cleaving  
キーワード(3)(和/英) 表面処理 / surface treatment  
キーワード(4)(和/英) ショットキー接触 / Schottky contact  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ
第1著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 永縄 萌 / Moe Naganawa / ナガナワ モエ
第2著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima / ミシマ トモヨシ
第3著者 所属(和/英) 法政大学 (略称: 法政大)
Hosei University (略称: Hosei Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-12-12 14:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2016-60, CPM2016-93, LQE2016-76 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.356(ED), no.357(CPM), no.358(LQE) 
ページ範囲 pp.15-20 
ページ数
発行日 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) 


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