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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-12 15:45 プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作 ○南條拓真・林田哲郎・小山英寿・今井章文・古川彰彦・山向幹雄（三菱電機）  ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 |
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| 抄録 | （和） | GaNは高周波素子だけではなく，高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている．高出力スイッチング素子として用いる場合には，ノーマリオフ動作が求められる．本検討では，特性劣化や特性バラつきをもたらすことが懸念されるエッチングプロセスを使わないことを前提として，Siイオン注入技術と薄膜AlNバリア層構造を用いたシンプルなプレーナ型のGaN MOS-HFETを提案し，その構造のデバイス作製・評価を行なった．その結果，作製したチャネル長1 mの素子において，最大ドレイン電流0.4 A/mm，しきい値+3.0 Vのノーマリオフ動作を実現した．さらに，チャネル長50mの素子において190 cm2/Vsの最大チャネル移動度が得られた |
| （英） | Normally-off operation with high drain current density was firstly demonstrated in simple planar type GaN MOS-HFET with i-AlN/i-GaN epitaxial hetero-junction channel which could be fabricated without using (Al)GaN etching process. The fabricated GaN MOS-HFET with short channel length of 1m exhibited a threshold voltage of +3.0 V with a maximum drain current of 0.4 A/mm. In addition, a maximum channel mobility of 190 cm2/Vs was estimated from a linear region of transfer characteristics in fabricated GaN MOS-HFET with long channel length of 50 m. These results are very promising for applying GaN MOS-HFETs to high power switching devices. | |
| キーワード | （和） | GaN MOS-HFET / ALD Al2O3酸化膜 / AlNバリア / Siイオン注入 / ヘテロ接合チャネル / 高出力スイッチング素子 / / |
| （英） | GaN MOS-HFET / ALD-Al2O3 film / AlN barrier / Si ion implantation / hetero-junction channel / high power switching device / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 356, ED2016-63, pp. 31-34, 2016年12月. | |
| 資料番号 | ED2016-63 | |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2016-12-12 - 2016-12-13 |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-12-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Normally-off operation of planar GaN MOS-HFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN MOS-HFET / GaN MOS-HFET |
| キーワード(2)（和/英） | ALD Al2O3酸化膜 / ALD-Al2O3 film |
| キーワード(3)（和/英） | AlNバリア / AlN barrier |
| キーワード(4)（和/英） | Siイオン注入 / Si ion implantation |
| キーワード(5)（和/英） | ヘテロ接合チャネル / hetero-junction channel |
| キーワード(6)（和/英） | 高出力スイッチング素子 / high power switching device |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 南條 拓真 / Takuma Nanjo / ナンジョウ タクマ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林田 哲郎 / Tetsuro Hayashida / ハヤシダ テツロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小山 英寿 / Hidetoshi Koyama / コヤマ ヒデトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今井 章文 / Akifumi Imai / イマイ アキフミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古川 彰彦 / Akihiko Furukawa / フルカワ アキヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山向 幹雄 / Mikio Yamamuka / ヤマムカ ミキオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-12 15:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-63, CPM2016-96, LQE2016-79 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.356(ED), no.357(CPM), no.358(LQE) |
| ページ範囲 | pp.31-34 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
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