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講演抄録/キーワード
講演名 2016-11-30 14:35
IoTデバイス向けReRAM書き込み電圧生成回路の低電圧化およびコンパレータ回路のバイアス電流最適化手法
鶴見洸太田中誠大竹内 健中大エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2016-89 ICD2016-50
抄録 (和) IoT向けのメモリやデータストレージとして,高速かつ低電力動作可能なReRAMが注目されている。IoT向けデバイスは小型化のため,センサ,ReRAMなどのメモリ,およびコントローラ回路を1パッケージ化することが必要とされている。また,IoT向けデバイスはエナジーハーベスト電源での動作を想定しコントローラ回路の低電圧化,高効率化が必要である。本論文では1.0 V動作可能なReRAM書き込み電圧生成回路の提案とコンパレータ回路のバイアス電流最適化手法について述べる。提案回路では従来回路と比較してReRAMの書き込み時間を71 %削減した。また提案手法により,コンパレータ回路のバイアス電流を8 mAで固定とした場合と比較して効率が6.6 %増加した。 
(英) Resistive random access memory (ReRAM) is considered as candidates for IoT Edge device because of the high-speed and low power operation compared with the conventional NAND flash memory. The IoT edge device requires to merge sensor, memory and controller into one package for miniaturization. This paper has two proposals. First, the proposed boost converter is proposed to achieve 1.0 V operation and high speed ReRAM set/reset time, simultaneously. Finally, 0.6 V operation ReRAM program voltage generator with the 2 µA to 8 µA adaptive comparator current (ICMP) is proposed to achieve low ReRAM write voltage ripple (VRIPPLE) and high energy efficiency, simultaneously. The proposed boost converter reduces the ReRAM set/reset time by 71 % compared with the conventional boost converter. Besides the boost converter with proposed scheme improves 6.6 % energy efficiency compared with the boost converter with fixed 8 µA large ICMP.
キーワード (和) 抵抗変化型メモリ(ReRAM) / ブーストコンバータ / Internet of Things(IoT) / IoT向け端末 / / / /  
(英) Resistive RAM(ReRAM) / boost converter / Internet of Things(IoT) / IoT edge device / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 334, ICD2016-50, pp. 69-74, 2016年11月.
資料番号 ICD2016-50 
発行日 2016-11-22 (CPM, ICD, IE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 VLD DC CPSY RECONF CPM ICD IE  
開催期間 2016-11-28 - 2016-11-30 
開催地(和) 立命館大学大阪いばらきキャンパス 
開催地(英) Ritsumeikan University, Osaka Ibaraki Campus 
テーマ(和) デザインガイア2016 -VLSI設計の新しい大地- 
テーマ(英) Design Gaia 2016 -New Field of VLSI Design- 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2016-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-CPM-ICD-IE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) IoTデバイス向けReRAM書き込み電圧生成回路の低電圧化およびコンパレータ回路のバイアス電流最適化手法 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) ReRAM Write Voltage Generator with Low Supply Voltage Operation and Optimized Comparator Bias-Current Scheme for IoT Edge Device 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 抵抗変化型メモリ(ReRAM) / Resistive RAM(ReRAM)  
キーワード(2)(和/英) ブーストコンバータ / boost converter  
キーワード(3)(和/英) Internet of Things(IoT) / Internet of Things(IoT)  
キーワード(4)(和/英) IoT向け端末 / IoT edge device  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鶴見 洸太 / Kota Tsurumi / ツルミ コウタ
第1著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 誠大 / Masahiro Tanaka / タナカ マサヒロ
第2著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン
第3著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
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講演者
発表日時 2016-11-30 14:35:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-CPM2016-89,IEICE-ICD2016-50,IEICE-IE2016-84 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.333(CPM), no.334(ICD), no.335(IE) 
ページ範囲 pp.69-74 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-CPM-2016-11-22,IEICE-ICD-2016-11-22,IEICE-IE-2016-11-22 


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