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講演抄録/キーワード
講演名 2016-11-28 13:10
薄膜BOX-SOI(SOTB)におけるレベルシフタレス設計の実現性の検討と評価
小暮俊輔宇佐美公良芝浦工大VLD2016-47 DC2016-41
抄録 (和) レベルシフタは信号の電圧振幅を変換する回路であり、異なる電源電圧領域で信号をやりとりする場合に必要不可欠である。レベルシフタのデメリットとして、面積増加と入力信号の反転信号が必要である点が挙げられる。レベルシフタを使用せずに異なる電源電圧領域で信号のやり取りが可能であれば、デメリットを解消することができる。本研究では基板バイアスと薄膜BOX-SOIを用いてレベルシフタを挿入しない手法(レベルシフタレス(Level-shifter-less)手法)を提案し、その実現可能性をシミュレーションと実チップ評価により明らかにした。 
(英) Level shifter is a circuit that changes the voltage amplitude of the signal. It is essential to exchange signals with different power supply voltage area. Level-shifter has the overhead, such as increase in the number of input signals and the circuit area. If the signal connection is possible between the different power supply voltage without inserting a level-shifter, it is possible to eliminate the overhead. In this paper, we propose a method which does not use level-shifters (level-shifter-less method) by applying body bias and Silicon-on-Thin-BOX. Feasibility studies and evaluation for level-shifter-less design is demonstrated by simulation and real chip.
キーワード (和) レベルシフタレス / 基板バイアス / 薄膜BOX-SOI (SOTB) / / / / /  
(英) Level-shifter-less / Body Bias / Silicon-on-Thin-Box(SOTB) / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 330, VLD2016-47, pp. 19-24, 2016年11月.
資料番号 VLD2016-47 
発行日 2016-11-21 (VLD, DC) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2016-47 DC2016-41

研究会情報
研究会 VLD DC CPSY RECONF CPM ICD IE  
開催期間 2016-11-28 - 2016-11-30 
開催地(和) 立命館大学大阪いばらきキャンパス 
開催地(英) Ritsumeikan University, Osaka Ibaraki Campus 
テーマ(和) デザインガイア2016 -VLSI設計の新しい大地- 
テーマ(英) Design Gaia 2016 -New Field of VLSI Design- 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2016-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-CPM-ICD-IE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 薄膜BOX-SOI(SOTB)におけるレベルシフタレス設計の実現性の検討と評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Feasibility studies and evaluation for Level-Shifter less design in Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) レベルシフタレス / Level-shifter-less  
キーワード(2)(和/英) 基板バイアス / Body Bias  
キーワード(3)(和/英) 薄膜BOX-SOI (SOTB) / Silicon-on-Thin-Box(SOTB)  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小暮 俊輔 / Shunsuke Kogure / コグレ シュンスケ
第1著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: Shibaura Institute of Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / ウサミ キミヨシ
第2著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: Shibaura Institute of Tech)
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講演者
発表日時 2016-11-28 13:10:00 
発表時間 25 
申込先研究会 VLD 
資料番号 IEICE-VLD2016-47,IEICE-DC2016-41 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.330(VLD), no.331(DC) 
ページ範囲 pp.19-24 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-VLD-2016-11-21,IEICE-DC-2016-11-21 


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