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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-11-17 14:30 基板中RFリーク電流の温度依存性を考慮したSi基板上GaNHEMTの半物理大信号モデル ○山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大）  MW2016-122 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2016-122 |
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| 抄録 | （和） | 基板中RFリーク電流の温度依存性を考慮したSi基板上GaNHEMTの半物理大信号モデルを提案する．提案モデルではバッファ層とSi基板の界面に生じる反転層の電子とバッファ層から拡散されるアクセプタよって生じるホールを考慮した．電子とホールによって生じるSi基板中RFリーク電流による効率低下を考慮するために一般的な等価回路モデルのドレインソース間にC-R-Cの寄生リークパス回路を挿入した．さらにリーク電流の温度依存性およびバイアス依存性を物理的に考慮するために寄生リークパス回路の抵抗と容量をSi基板中電子濃度とホール濃度の物理式から導きだした．大信号特性の温度依存性およびドレイン電極幅依存性に関してモデルと実測を比較したところ，よく一致し，モデルの有効性を確認した． |
| （英） | In this paper, semi-physical large signal model of GaN HEMTs on Si (GaN-on-Si) considering temperature dependence of RF leakage current in Substrates is proposed. In the proposed model, the electron and hole near the interface between the buffer layer and the Si substrate is taken into account. The electron is in the inversion layer at the interface between buffer layer and Si substrate and the hole is in the acceptor region generated by the atomic diffusion from buffer layer to Si substrate. The extrinsic leak path circuit (C-R-C circuit) corresponding the physical structure of GaN-on-Si is newly added between drain and source of a common equivalent circuit of GaN HEMTs to consider the degradation of efficiency due to the extrinsic RF leakage current of the electron and hole in Si substrate. Moreover, the resistance and capacitance in the extrinsic leak path circuit are derived from physical equation of the electron and hole concentration in Si substrate to physically consider temperature and bias dependence of RF leakage current. As a result of verification of the proposed model, the model agrees with measurement data with regard to temperature dependence of large signal characteristics and the dependence of drain electrode width, and availability of the proposed model was confirmed. | |
| キーワード | （和） | GaN HEMT / Si基板 / 大信号モデル / 温度依存性 / RFリーク電流 / / / |
| （英） | GaN HEMT / Si substrate / Large signal model / temperature dependence / RF leakage current / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 310, MW2016-122, pp. 33-38, 2016年11月. | |
| 資料番号 | MW2016-122 | |
| 発行日 | 2016-11-10 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2016-122 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2016-122 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2016-11-17 - 2016-11-18 |
| 開催地（和） | 佐賀大学 |
| 開催地（英） | Saga Univ. |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2016-11-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 基板中RFリーク電流の温度依存性を考慮したSi基板上GaNHEMTの半物理大信号モデル |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Semi-Physical Large Signal Model of GaN HEMTs on Si considering temperature dependence of RF leakage current in Substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(3)（和/英） | 大信号モデル / Large signal model |
| キーワード(4)（和/英） | 温度依存性 / temperature dependence |
| キーワード(5)（和/英） | RFリーク電流 / RF leakage current |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 裕太郎 / Yutaro Yamaguchi / ヤマグチ ユウタロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electroc Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新庄 真太郎 / Shintaro Shinjo / シンジョウ シンタロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electroc Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electroc Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大石 敏之 / Toshiyuki Oishi / オオイシ トシユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 佐賀大学 (略称： 佐賀大) Saga University (略称： Saga Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-11-17 14:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2016-122 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.310 |
| ページ範囲 | pp.33-38 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-11-10 (MW) |
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