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| 講演名 | 2016-11-11 11:00 ［招待講演］ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイス開発に資するシミュレーション研究 ○望月和浩（産総研）  SDM2016-85 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2016-85 |
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| 抄録 | （和） | ワイドバンドギャップ半導体である4H-SiCおよび2H-GaNを用いたパワーデバイスの開発に資する，市販プロセス・デバイスシミュレータを用いた研究を，Siパワーデバイスの場合との相違に留意して紹介する。具体的には，2H-GaN p-n接合の順方向特性を飛躍的に向上させる外因性フォトン・リサイクリングについて述べた後に，(i)プロセス・シミュレーション研究として4H-SiCにおけるAlイオン注入およびB拡散を，(ii)デバイス構成要素のシミュレーション研究として2H-GaNにおけるショットキー接合および4H-SiCにおける終端構造を，(iii)デバイス・シミュレーション研究として4H-SiCユニポーラ・ダイオードおよび2H-GaNバイポーラ・スイッチング素子を例に示す。 |
| （英） | Studies contributing to wide-bandgap semiconductor (e.g., 4H-SiC and 2H-GaN) power devices, using commercial process and device simulators, are introduced with emphasis on differences with the case of Si power devices. A review of extrinsic photon recycling, which drastically improves forward characteristics of GaN p-n junctions, is followed by studies on (i) process simulation of Al-ion implantation and B diffusion in 4H-SiC, (ii) simulation of device building blocks including 2H-GaN Schottky junction and 4H-SiC planar edge terminations, and (iii) device simulation of 4H-SiC unipolar diodes and 2H-GaN bipolar switching devices. | |
| キーワード | （和） | ワイドバンドギャップ半導体 / パワーデバイス / シミュレーション / 外因性フォトン・リサイクリング / イオン注入 / 拡散 / 金属-半導体接触 / 終端構造 |
| （英） | Wide-Bandgap Semiconductor / Power Device / Simulation / Extrinsic Photon Recycling / Ion Implantation / Diffusion / Metal-Semiconductor Contact / Edge Termination | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 296, SDM2016-85, pp. 37-42, 2016年11月. | |
| 資料番号 | SDM2016-85 | |
| 発行日 | 2016-11-03 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-85 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2016-85 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-11-10 - 2016-11-11 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイス開発に資するシミュレーション研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simulation Studies Contributing to Development of Wide-Bandgap Power Semiconductor Devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ワイドバンドギャップ半導体 / Wide-Bandgap Semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | パワーデバイス / Power Device |
| キーワード(3)（和/英） | シミュレーション / Simulation |
| キーワード(4)（和/英） | 外因性フォトン・リサイクリング / Extrinsic Photon Recycling |
| キーワード(5)（和/英） | イオン注入 / Ion Implantation |
| キーワード(6)（和/英） | 拡散 / Diffusion |
| キーワード(7)（和/英） | 金属-半導体接触 / Metal-Semiconductor Contact |
| キーワード(8)（和/英） | 終端構造 / Edge Termination |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 望月 和浩 / Kazuhiro Mochizuki / モチヅキ カズヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-11-11 11:00:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-85 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.296 |
| ページ範囲 | pp.37-42 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-11-03 (SDM) |
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