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講演抄録/キーワード
講演名 2016-10-27 10:50
動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究
間脇武蔵寺本章伸黒田理人市野真也後藤哲也諏訪智之須川成利東北大SDM2016-75 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-75
抄録 (和) MOSFETの微細化に伴い、RTN(Random Telegraph Noise)の影響が顕在化している。 RTNの発生メカニズムを解明し、影響を低減するために、動作電圧を変化させた過渡状態におけるRTNの挙動を理解する必要がある。ゲート電圧を切り替えることで、RTNのバックバイアス依存性の測定・評価を行った。バックバイアスを変化させる前後で、RTNの特徴が変化することを確認した。 
(英) As the progression of MOSFETs scaling down continues, the impacts of RTN (Random Telegraph Noise) on the MOSFETs have become larger. To analyze and decrease the effect of RTN in advanced LSI we evaluate the dynamic response of RTN time constants toward the operation bias voltage changing and observed dynamic response of RTN successfully.
キーワード (和) RTN(Random Telegraph Noise) / MOSFET / 時定数 / / / / /  
(英) RTN(Random Telegraph Noise) / MOSFET / Time Constants / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 270, SDM2016-75, pp. 35-38, 2016年10月.
資料番号 SDM2016-75 
発行日 2016-10-19 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2016-75 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-75

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2016-10-26 - 2016-10-27 
開催地(和) 東北大学未来研 
開催地(英) Niche, Tohoku Univ. 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2016-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Behavior of Random Telegraph Noise toward Bias Voltage Changing 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) RTN(Random Telegraph Noise) / RTN(Random Telegraph Noise)  
キーワード(2)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(3)(和/英) 時定数 / Time Constants  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 間脇 武蔵 / Takezo Mawaki / マワキ タケゾウ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒田 理人 / Rihito Kuroda / クロダ リヒト
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 市野 真也 / Shinya Ichino / イチノ シンヤ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 哲也 / Tetsuya Goto / ゴトウ テツヤ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa / スワ トモユキ
第6著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ
第7著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者
発表日時 2016-10-27 10:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2016-75 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.270 
ページ範囲 pp.35-38 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2016-10-19 


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