講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-10-27 10:50
動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究 ○間脇武蔵・寺本章伸・黒田理人・市野真也・後藤哲也・諏訪智之・須川成利(東北大) SDM2016-75 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-75 |
抄録 |
(和) |
MOSFETの微細化に伴い、RTN(Random Telegraph Noise)の影響が顕在化している。 RTNの発生メカニズムを解明し、影響を低減するために、動作電圧を変化させた過渡状態におけるRTNの挙動を理解する必要がある。ゲート電圧を切り替えることで、RTNのバックバイアス依存性の測定・評価を行った。バックバイアスを変化させる前後で、RTNの特徴が変化することを確認した。 |
(英) |
As the progression of MOSFETs scaling down continues, the impacts of RTN (Random Telegraph Noise) on the MOSFETs have become larger. To analyze and decrease the effect of RTN in advanced LSI we evaluate the dynamic response of RTN time constants toward the operation bias voltage changing and observed dynamic response of RTN successfully. |
キーワード |
(和) |
RTN(Random Telegraph Noise) / MOSFET / 時定数 / / / / / |
(英) |
RTN(Random Telegraph Noise) / MOSFET / Time Constants / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 270, SDM2016-75, pp. 35-38, 2016年10月. |
資料番号 |
SDM2016-75 |
発行日 |
2016-10-19 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2016-75 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-75 |