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講演抄録/キーワード
講演名 2016-10-27 10:00
原子層堆積法で成膜したAl2O3膜界面に及ぼす酸化種の影響
齋藤雅也諏訪智之寺本章伸黒田理人幸田安真杉田久哉石井秀和志波良信白井泰雪須川成利東北大)・林 真里恵土本淳一キヤノンアネルバSDM2016-73 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-73
抄録 (和) Al2O3はパワー半導体のゲート絶縁膜やMIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタへの応用が期待される高誘電率材料の1つである.先行研究より,低温(75℃)下における原子層堆積法(ALD法)で下地材料を酸化することなくAl2O3膜を成膜可能であることが確認された.また,酸化力が低い故に生じる固定電荷を減少させるために,PDP(Post Deposition Process)が有効であるということを明らかにした.本研究では,異なる酸化種によるPDPを行った際のAl2O3膜界面を電気的特性及びRBS(Rutherford Backscattering Spectroscopy),HAXPES(Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy)測定により評価した. 
(英) Al2O3 is a prospective high-dielectric material for the gate insulator film of the power devices and MIM (Metal-Insulator-Metal) capacitors. In the former study, it was confirmed that Al2O3 can be formed without oxidizing Al2O3/Si interface by ALD (Atomic Layer Deposition) at stage temperature of 75℃. However, in this case, fixed oxide charge increases because of low oxidation ability. PDP (Post Deposition Process) is an effective way to solve this problem. In this study, Al2O3 and Al2O3/substrate interface are evaluated by electrical characteristics, RBS (Rutherford Backscattering Spectroscopy) and HAXPES (Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy) measurement when PDP by different oxidizing species are introduced.
キーワード (和) Al2O3 / ALD / PDP / / / / /  
(英) Al2O3 / ALD / PDP / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 270, SDM2016-73, pp. 27-30, 2016年10月.
資料番号 SDM2016-73 
発行日 2016-10-19 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
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PDFダウンロード SDM2016-73 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-73

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2016-10-26 - 2016-10-27 
開催地(和) 東北大学未来研 
開催地(英) Niche, Tohoku Univ. 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2016-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 原子層堆積法で成膜したAl2O3膜界面に及ぼす酸化種の影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effects of the oxidizing species on the interface of Al2O3 film by atomic layer deposition 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Al2O3 / Al2O3  
キーワード(2)(和/英) ALD / ALD  
キーワード(3)(和/英) PDP / PDP  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 雅也 / Masaya Saito / サイトウ マサヤ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa / スワ トモユキ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒田 理人 / Rihito Kuroda / クロダ リヒト
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 幸田 安真 / Yasumasa Koda / コウダ ヤスマサ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉田 久哉 / Hisaya Sugita / スギタ ヒサヤ
第6著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 石井 秀和 / Hidekazu Ishii / イシイ ヒデカズ
第7著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 志波 良信 / Yoshinobu Shiba / シバ ヨシノブ
第8著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 白井 泰雪 / Yasuyuki Shirai / シライ ヤスユキ
第9著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ
第10著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku univ.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 真里恵 / Marie Hayashi / ハヤシ マリエ
第11著者 所属(和/英) キャノンアネルバ株式会社 (略称: キヤノンアネルバ)
CANON ANELVA CORPORATION (略称: CANON ANELVA)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 土本 淳一 / Junichi Tsuchimoto / ツチモト ジュンイチ
第12著者 所属(和/英) キャノンアネルバ株式会社 (略称: キヤノンアネルバ)
CANON ANELVA CORPORATION (略称: CANON ANELVA)
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講演者
発表日時 2016-10-27 10:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2016-73 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.270 
ページ範囲 pp.27-30 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2016-10-19 


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