講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-10-27 10:00
原子層堆積法で成膜したAl2O3膜界面に及ぼす酸化種の影響 ○齋藤雅也・諏訪智之・寺本章伸・黒田理人・幸田安真・杉田久哉・石井秀和・志波良信・白井泰雪・須川成利(東北大)・林 真里恵・土本淳一(キヤノンアネルバ) SDM2016-73 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-73 |
抄録 |
(和) |
Al2O3はパワー半導体のゲート絶縁膜やMIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタへの応用が期待される高誘電率材料の1つである.先行研究より,低温(75℃)下における原子層堆積法(ALD法)で下地材料を酸化することなくAl2O3膜を成膜可能であることが確認された.また,酸化力が低い故に生じる固定電荷を減少させるために,PDP(Post Deposition Process)が有効であるということを明らかにした.本研究では,異なる酸化種によるPDPを行った際のAl2O3膜界面を電気的特性及びRBS(Rutherford Backscattering Spectroscopy),HAXPES(Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy)測定により評価した. |
(英) |
Al2O3 is a prospective high-dielectric material for the gate insulator film of the power devices and MIM (Metal-Insulator-Metal) capacitors. In the former study, it was confirmed that Al2O3 can be formed without oxidizing Al2O3/Si interface by ALD (Atomic Layer Deposition) at stage temperature of 75℃. However, in this case, fixed oxide charge increases because of low oxidation ability. PDP (Post Deposition Process) is an effective way to solve this problem. In this study, Al2O3 and Al2O3/substrate interface are evaluated by electrical characteristics, RBS (Rutherford Backscattering Spectroscopy) and HAXPES (Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy) measurement when PDP by different oxidizing species are introduced. |
キーワード |
(和) |
Al2O3 / ALD / PDP / / / / / |
(英) |
Al2O3 / ALD / PDP / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 270, SDM2016-73, pp. 27-30, 2016年10月. |
資料番号 |
SDM2016-73 |
発行日 |
2016-10-19 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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