| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-10-26 15:30 ［招待講演］超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 ○槇山秀樹・山本芳樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大）  SDM2016-71 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2016-71 |
|
| 抄録 | （和） | 薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域で起こる伝播遅延時間(Tpd)ばらつきの急増が大きな課題である。本研究では、様々な論理回路のダイ間遅延ばらつきの抑制のために、P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御を提案し、実証した。 |
| （英） | Small-variability transistors such as silicon on thin buried oxide (SOTB) are effective for reducing the operation voltage (Vdd). In the ultralow-Vdd regime, however, the upsurging delay (τpd) variability is the most important challenge. This paper proposes the balanced n/p drivability control method for reducing the die-to-die delay variation by back bias applicable for various circuits. Excellent variability reduction by this balanced control is demonstrated at Vdd = 0.4 V. | |
| キーワード | （和） | SOTB / SOI / 基板バイアス / リング発振回路 / Tpd / ばらつき / 超低電圧 / |
| （英） | SOTB / SOI / back bias / ring oscillator / Tpd / variability / ultra-low voltage / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 270, SDM2016-71, pp. 15-20, 2016年10月. | |
| 資料番号 | SDM2016-71 | |
| 発行日 | 2016-10-19 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-71 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2016-71 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-10-26 - 2016-10-27 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Back-Bias Control Technique for Suppression of Die-to-Die Delay Variability of SOTB CMOS Circuits at Ultralow-Voltage (0.4 V) Operation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOTB / SOTB |
| キーワード(2)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(3)（和/英） | 基板バイアス / back bias |
| キーワード(4)（和/英） | リング発振回路 / ring oscillator |
| キーワード(5)（和/英） | Tpd / Tpd |
| キーワード(6)（和/英） | ばらつき / variability |
| キーワード(7)（和/英） | 超低電圧 / ultra-low voltage |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 槇山 秀樹 / Hideki Makiyama / マキヤマ ヒデキ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 芳樹 / Yoshiki Yamamoto / ヤマモト ヨシキ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長谷川 拓実 / Takumi Hasegawa / ハセガワ タクミ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡西 忍 / Shinobu Okanishi / オカニシ シノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前川 径一 / Keiichi Maekawa / マエカワ ケイイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Corp.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新川田 裕樹 / Hiroki Shinkawata / シンカワタ ヒロキ |
| 第6著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Corp.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蒲原 史朗 / Shiro Kamohara / カモハラ シロウ |
| 第7著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Corp.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 泰男 / Yasuo Yamaguchi / ヤマグチ ヤスオ |
| 第8著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Corp.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ |
| 第9著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi Ltd (略称： Hitach) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi / イシバシ コウイチロウ |
| 第10著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： The Univ. of Electro-Communications) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ |
| 第11著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The Universty of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第12著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The Universty of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-10-26 15:30:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-71 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.270 |
| ページ範囲 | pp.15-20 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-10-19 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]