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講演抄録/キーワード
講演名 2016-10-26 11:50
CdTe/CdS光電変換膜の耐放射線性評価
増澤智昭根尾陽一郎静岡大)・後藤康仁京大)・岡本 保木更津高専)・長尾昌善産総研)・佐藤信浩京大)・秋吉優史阪府大)・高木郁二京大)・三村秀典静岡大ED2016-56 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-56
抄録 (和) 福島第一原発の廃炉に向けて,高い放射線耐性を持つ撮像素子の開発が求められている.本研究では耐放射線FEA撮像素子に組み込むための光電変換膜開発のため,CdTe/CdSダイオードへのガンマ線照射による光電変換特性の変化および撮像特性の評価を行った.コバルト60を用いたガンマ線照射実験では,1 MGyの照射ではダイオードの光電変換特性が変化しないことが確認された. 
(英) In this study, radiation tolerance of CdTe/CdS photodiode was investigated. Irradiation of gamma-ray from cobalt-60 with a total dose of 1 MGy did not result in degradation of photoconductivity. The present result suggests that this type of photodiode is suitable to be used as a photoconductive target of a vidicon-type image sensor.
キーワード (和) 耐放射線 / 撮像素子 / CdTe / FEA / gamma-ray / / /  
(英) Radiation-tolerant / Image sensor / CdTe / FEA / gamma-ray / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 268, ED2016-56, pp. 63-66, 2016年10月.
資料番号 ED2016-56 
発行日 2016-10-18 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード ED2016-56 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-56

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2016-10-25 - 2016-10-26 
開催地(和) 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2016-10-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) CdTe/CdS光電変換膜の耐放射線性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Radiation tolerance of CdTe/CdS photoconductive target 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 耐放射線 / Radiation-tolerant  
キーワード(2)(和/英) 撮像素子 / Image sensor  
キーワード(3)(和/英) CdTe / CdTe  
キーワード(4)(和/英) FEA / FEA  
キーワード(5)(和/英) gamma-ray / gamma-ray  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 増澤 智昭 / Tomoaki Masuzawa / マスザワ トモアキ
第1著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 根尾 陽一郎 / Yoichiro Neo / ネオ ヨウイチロウ
第2著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 康仁 / Yasuhito Gotoh / ゴトウ ヤスヒト
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 保 / Tamotsu Okamoto / オカモト タモツ
第4著者 所属(和/英) 木更津工業高等専門学校 (略称: 木更津高専)
National Institute of Technology, Kisarazu College (略称: National Inst. of Technol. Kisarazu College)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao / ナガオ マサヨシ
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 信浩 / Nobuhiro Sato / サトウ ノブヒロ
第6著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 秋吉 優史 / Masafumi Akiyoshi / アキヨシ マサフミ
第7著者 所属(和/英) 大阪府立大学 (略称: 阪府大)
Osaka Prefecture University (略称: Osaka Prefecture Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 高木 郁二 / Ikuji Takagi / タカギ イクジ
第8著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 三村 秀典 / Hidenori Mimura / ミムラ ヒデノリ
第9著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
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講演者
発表日時 2016-10-26 11:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2016-56 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.268 
ページ範囲 pp.63-66 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2016-10-18 


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