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| 講演名 | 2016-10-25 14:40 シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価（その2） ○嶋脇秀隆（八戸工大）・長尾昌善（産総研）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・若家冨士男・高井幹夫（阪大）  ED2016-46 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2016-46 |
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| 抄録 | （和） | p型シリコンフィールドエミッタにバンドギャップ以上の光を照射するとエミッション電流が増大する。この特性を利用すると光パルス照射により変調電子ビームを発生させることができる。光応答性を高めるためには、空乏層外での光電子を抑制する必要があるため、極微ゲート孔のボルケーノ構造シリコンエミッタアレイを作製し、光応答性を評価した。 |
| （英） | We have fabricated silicon field emitter arrays with submicron gate opening by using etch-back technique and investigated the emission characteristics and photoresponse of the devices under irradiation of laser pulses. The current pulses from the device with the same response of the laser pulse have been observed. | |
| キーワード | （和） | シリコンフィールドエミッタアレイ / 光支援電界電子放出 / 変調電子ビーム / ボルケーノ構造 / / / / |
| （英） | silicon field emitter array / photoassisted electron emission / modulated electron beam / volcano structure / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 268, ED2016-46, pp. 13-15, 2016年10月. | |
| 資料番号 | ED2016-46 | |
| 発行日 | 2016-10-18 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-46 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2016-46 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2016-10-25 - 2016-10-26 |
| 開催地（和） | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-10-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価（その2） |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on the photoresponse of silicon field emitter arrays (II) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフィールドエミッタアレイ / silicon field emitter array |
| キーワード(2)（和/英） | 光支援電界電子放出 / photoassisted electron emission |
| キーワード(3)（和/英） | 変調電子ビーム / modulated electron beam |
| キーワード(4)（和/英） | ボルケーノ構造 / volcano structure |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 嶋脇 秀隆 / Hidetaka Shimawaki / シマワキ ヒデタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 八戸工業大学 (略称： 八戸工大) Hachinohe Institute of Technology (略称： HIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao / ナガオ マサヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 根尾 陽一郎 / Yoichiro Neo / ネオ ヨウイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三村 秀典 / Hidenori Mimura / ミムラ ヒデノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若家 冨士男 / Fujio Wakaya / ワカヤ フジオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高井 幹夫 / Mikio Takai / |
| 第6著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-10-25 14:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-46 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.268 |
| ページ範囲 | pp.13-15 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2016-10-18 (ED) |
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