お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2016-10-20 16:10
金属/NiO複合ナノ構造における抵抗値変化現象の低電圧制御
中野陽介岡部京太木村 崇九大)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) デジタル情報化社会の急速な普及による情報量の爆発的増大により、革新的原理を有する不揮発メモリの登場が期待されている。今回我々は、アモルファス金属とNiOの複合ナノ構造からなる新奇なメモリ素子を開発した。この素子は、電界印加によって誘起される抵抗値変化を利用し、情報の保持、書き換えを行う。また、情報の不揮発性と高い応答速度を併せ持ち、1V程度という低い電圧領域で駆動するという特徴をもつ。講演では、素子の詳細な動特性と、その動作機構について議論する。 
(英) Development of nano-scale non-volatile memory is responsible for corresponding to increasing of amount of information due to the growing availability of information society. In this study, we have developed novel memory device consisting of amorphous-metal/NiO bilayer structure. In this device, resistive switching is controlled by applying bias voltage. This device have many advantages, such as non-volatile characteristic, low operation voltage, fast response speed. We will show the detailed results about the device characterization and explain the proposed switching mechanism.
キーワード (和) 不揮発性メモリ / アモルファス金属 / 磁性酸化物 / / / / /  
(英) non-volatile memory / amorphous metal / magnetic oxide / / / / /  
文献情報 信学技報
資料番号  
発行日  
ISSN  
PDFダウンロード

研究会情報
研究会 MRIS ITE-MMS  
開催期間 2016-10-20 - 2016-10-21 
開催地(和) 九州大学西新プラザ 
開催地(英) Nishijin Plaza 
テーマ(和) ヘッド・スピントロニクス,一般 
テーマ(英) Magnetic head, Spintronics, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2016-10-MR-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 金属/NiO複合ナノ構造における抵抗値変化現象の低電圧制御 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Resistive switching in planar metal/NiO bilayer system with low voltage operation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 不揮発性メモリ / non-volatile memory  
キーワード(2)(和/英) アモルファス金属 / amorphous metal  
キーワード(3)(和/英) 磁性酸化物 / magnetic oxide  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中野 陽介 / Yosuke Nakano / ナカノ ヨウスケ
第1著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡部 京太 / Kyota Okabe / オカベ キョウタ
第2著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 崇 / Takashi Kimura / キムラ タカシ
第3著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2016-10-20 16:10:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 MRIS 
資料番号  
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.258 
ページ範囲  
ページ数  
発行日  


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会