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講演抄録/キーワード
講演名 2016-10-20 11:20
5Gにおける高SHF帯・広帯域Massive MIMO向けRFフロントエンド増幅器モジュール
中谷圭吾新庄真太郎小松崎優治神岡 純幸丸竜太中溝英之宮脇勝巳山中宏治三菱電機EMCJ2016-64 MW2016-96 EST2016-60 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2016-96 EST2016-60
抄録 (和) 3段送信用増幅器(PA),2段低雑音増幅器(LNA)およびスイッチ(SW)の各チップを集積・実装した第5世代移動通信(5G)用高SHF帯・広帯域Massive-MIMO向けRFフロントエンド増幅器モジュールの試作結果を示す.高SHF帯5Gシステムを構成するRFフロントエンド増幅器モジュールには,広帯域な動作と小型化に向けた低消費電力化が要求されている.そこで最終段PAには,バックオフ動作時における広帯域・高効率動作を実現するために寄生容量の影響を低減するドハティ増幅器構成を採用した.またLNAには,広帯域にわたる利得平坦性を実現するために異なる周波数で動作する2つのR-LC安定化回路構成を提案した.PA,LNAおよびSWは0.15m E-mode GaAsプロセスを用いて試作し,5×5mm2のQFNパッケージに実装した.提案構成を適用したRFフロントエンド増幅器モジュールを評価した結果,14.5-15GHzにおいて,最終段増幅器および3段PAの8dBバックオフ動作時の効率はそれぞれ22%,12%,2段LNAの雑音指数は1.4dB以下をそれぞれ達成した. 
(英) A highly integrated RF frontend module including a three-stage power amplifier (PA), a two-stage low noise amplifier (LNA) and a switch (SW) is presented for high SHF wide-band massive MIMO in 5G. In order to achieve efficient operation over wide-band frequency, Doherty PA configuration using a parasitic output capacitance neutralization technique is proposed for final stage PA. To improve LNA’s gain flatness over wide frequency band, two R-LC stabilization circuits with different resonance frequencies are proposed. They are fabricated with 0.15-μm E-mode GaAs process, and integrated into a 5 x 5 mm2 QFN package. The state-of-the-art measured results show that final stage PA and three-stage PA achieve a drain efficiency (DE) at 8dB back-off of more than 22 % and 12 %, respectively, and a two–stage LNA achieves a noise figure (NF) of less than 1.4dB over 14.5-15.0 GHz.
キーワード (和) 5G / MMIC / ドハティ増幅器 / 低雑音増幅器 / GaAs / / /  
(英) 5G / MMIC / doherty amplifier / low noise amplifier / GaAs / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 254, MW2016-96, pp. 25-30, 2016年10月.
資料番号 MW2016-96 
発行日 2016-10-13 (EMCJ, MW, EST) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMCJ2016-64 MW2016-96 EST2016-60 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2016-96 EST2016-60

研究会情報
研究会 EMCJ IEE-EMC MW EST  
開催期間 2016-10-20 - 2016-10-21 
開催地(和) 東北大学 
開催地(英) Tohoku Univ. 
テーマ(和) マイクロ波,電磁界シミュレーション,EMC一般 
テーマ(英) Microwave, Electromagnetic simulation, EMC, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2016-10-EMCJ-EMC-MW-EST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 5Gにおける高SHF帯・広帯域Massive MIMO向けRFフロントエンド増幅器モジュール 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) An RF Frontend Amplifier Module for High SHF Wide-band Massive MIMO in 5G 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 5G / 5G  
キーワード(2)(和/英) MMIC / MMIC  
キーワード(3)(和/英) ドハティ増幅器 / doherty amplifier  
キーワード(4)(和/英) 低雑音増幅器 / low noise amplifier  
キーワード(5)(和/英) GaAs / GaAs  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中谷 圭吾 / Keigo Nakatani / ナカタニ ケイゴ
第1著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 新庄 真太郎 / Shintaro Shinjo / シンジョウ シンタロウ
第2著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小松崎 優治 / Yuji Komatsuzaki / コマツザキ ユウジ
第3著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 神岡 純 / Jun Kamioka / カミオカ ジュン
第4著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 幸丸 竜太 / Ryota Komaru / コウマル リョウタ
第5著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 中溝 英之 / Hideyuki Nakamizo / ナカミゾ ヒデユキ
第6著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮脇 勝巳 / Miyawaki Katsumi / ミヤワキ カツミ
第7著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤカナカ コウジ
第8著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-10-20 11:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MW 
資料番号 EMCJ2016-64, MW2016-96, EST2016-60 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.253(EMCJ), no.254(MW), no.255(EST) 
ページ範囲 pp.25-30 
ページ数
発行日 2016-10-13 (EMCJ, MW, EST) 


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