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講演抄録/キーワード
講演名 2016-08-03 14:40
ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FET
吉田貴大井田次郎堀井隆史金沢工大)・沖原将生ラピス)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構SDM2016-66 ICD2016-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-66 ICD2016-34
抄録 (和) PN-Body Tied SOI FETのBody Tied部のN層の濃度を濃いN+層から薄いN-層に見直すことで、ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なサブスレッショルド特性(Subthreshold Slope :SS)が出ることを確認した.また,シミュレーションでもN層濃度の違いにより急峻なSS特性が出るボディ電圧の差を再現できた。さらに、シミュレーション解析によりN+層、N-層を使う場合、急峻なSS特性を発生させるには、最適な幅があることが分かった. 
(英) We have found out that the super steep Subthreshold Slope (SS) of the PN-body tied SOI FET appeared with the body voltage of below 1V. and the drain voltage of 0.1V when the N layer of the body tied region changes from the N+ to the N- . Device simulations reproduced the difference of the necessity body voltage on appearance of the super steep SS between the N+ and the N-. In addition, results of simulation show the optimized width of N layer with both the N+ and the N-.
キーワード (和) SS / SOI MOSFET / BIP / / / / /  
(英) SS / SOI MOSFET / BIP / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 172, SDM2016-66, pp. 117-121, 2016年8月.
資料番号 SDM2016-66 
発行日 2016-07-25 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード SDM2016-66 ICD2016-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-66 ICD2016-34

研究会情報
研究会 ICD SDM ITE-IST  
開催期間 2016-08-01 - 2016-08-03 
開催地(和) 中央電気倶楽部 
開催地(英) Central Electric Club 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2016-08-ICD-SDM-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FET 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) PN-Body Tied Super Steep SS FET with Body Bias below 1V and Drain Bias 0.1V 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SS / SS  
キーワード(2)(和/英) SOI MOSFET / SOI MOSFET  
キーワード(3)(和/英) BIP / BIP  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 貴大 / Takahiro Yoshida / ヨシダ タカヒロ
第1著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 井田 次郎 / Jiro Ida / イダ ジロウ
第2著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 堀井 隆史 / Takashi Horii / ホリイ タカシ
第3著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 沖原 将生 / Masao Okihara / オキハラ マサオ
第4著者 所属(和/英) ラピスセミコンダクタ株式会社 (略称: ラピス)
LAPIS Semiconductor (略称: Lapis)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 新井 康夫 / Yasuo Arai / アライ ヤスオ
第5著者 所属(和/英) 高エネルギー加速器研究機構 (略称: 高エネルギー加速器研究機構)
High Energy Accelerator Research Organization (略称: KEK)
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講演者
発表日時 2016-08-03 14:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2016-66,IEICE-ICD2016-34 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.172(SDM), no.173(ICD) 
ページ範囲 pp.117-121 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2016-07-25,IEICE-ICD-2016-07-25 


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