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講演抄録/キーワード
講演名 2016-08-03 13:20
[招待講演]機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する16nm FinFETヘテロジニアス9コアSoC
高橋睦史芝原真一福岡一樹松嶋 潤北地祐子ルネサス システムデザイン)・島崎靖久原 博隆入田隆宏ルネサス エレクトロニクスSDM2016-64 ICD2016-32 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-64 ICD2016-32
抄録 (和) 本稿では,機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する次世代自動車情報機器向けヘテロジニアス9コアSoCについて述べる.本SoCは以下の2つの機能を有する.1) ランダム故障,絶縁破壊,エレクトロマイグレーションに代表される摩耗故障を検出できる,機能安全向けランタイムセルフテスト機能.2) 急激な電圧降下により生ずる遅延故障を防止できる,電圧降下予測機能を持つKiller-droop モニター. 
(英) This paper presents an SoC for the next generation of car infotainment, achieving high performance powered by nine heterogeneous CPUs and a high level of safety, supporting ISO26262 ASIL B. It has two key features: 1) Run-time test for functional safety, which can detect wear-out failures, such as random failure, time-dependent dielectric breakdown, and electromigration; 2) A killer-droop (critical voltage droop) monitor with droop prediction, which can avoid a delay fault caused by voltage droop.
キーワード (和) ISO26262 / ASIL B / 機能安全 / ランタイムセルフテスト / 電圧降下予測 / / /  
(英) ISO26262 / ASIL B / Functional safety / Run-time self test / Voltage droop prediction / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 173, ICD2016-32, pp. 105-110, 2016年8月.
資料番号 ICD2016-32 
発行日 2016-07-25 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2016-64 ICD2016-32 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-64 ICD2016-32

研究会情報
研究会 ICD SDM ITE-IST  
開催期間 2016-08-01 - 2016-08-03 
開催地(和) 中央電気倶楽部 
開催地(英) Central Electric Club 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2016-08-ICD-SDM-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する16nm FinFETヘテロジニアス9コアSoC 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 16nm FinFET Heterogeneous Nona-Core SoC Supporting Functional Safety Standard ISO26262 ASIL B 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ISO26262 / ISO26262  
キーワード(2)(和/英) ASIL B / ASIL B  
キーワード(3)(和/英) 機能安全 / Functional safety  
キーワード(4)(和/英) ランタイムセルフテスト / Run-time self test  
キーワード(5)(和/英) 電圧降下予測 / Voltage droop prediction  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 睦史 / Chikafumi Takahashi / タカハシ チカフミ
第1著者 所属(和/英) ルネサス システムデザイン株式会社 (略称: ルネサス システムデザイン)
Renesas System Design Co., Ltd. (略称: Renesas System Design)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 芝原 真一 / Shinichi Shibahara / シバハラ シンイチ
第2著者 所属(和/英) ルネサス システムデザイン株式会社 (略称: ルネサス システムデザイン)
Renesas System Design Co., Ltd. (略称: Renesas System Design)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 福岡 一樹 / Kazuki Fukuoka / フクオカ カズキ
第3著者 所属(和/英) ルネサス システムデザイン株式会社 (略称: ルネサス システムデザイン)
Renesas System Design Co., Ltd. (略称: Renesas System Design)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松嶋 潤 / Jun Matsushima / マツシマ ジュン
第4著者 所属(和/英) ルネサス システムデザイン株式会社 (略称: ルネサス システムデザイン)
Renesas System Design Co., Ltd. (略称: Renesas System Design)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 北地 祐子 / Yuko Kitaji / キタジ ユウコ
第5著者 所属(和/英) ルネサス システムデザイン株式会社 (略称: ルネサス システムデザイン)
Renesas System Design Co., Ltd. (略称: Renesas System Design)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 島崎 靖久 / Yasuhisa Shimazaki / シマザキ ヤスヒサ
第6著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 原 博隆 / Hirotaka Hara / ハラ ヒロタカ
第7著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 入田 隆宏 / Takahiro Irita / イリタ タカヒロ
第8著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-08-03 13:20:00 
発表時間 45分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 SDM2016-64, ICD2016-32 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.172(SDM), no.173(ICD) 
ページ範囲 pp.105-110 
ページ数
発行日 2016-07-25 (SDM, ICD) 


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