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講演抄録/キーワード
講演名 2016-08-03 10:40
[招待講演]薄膜強誘電体HfO2を用いたトンネル接合メモリの動作実証とメモリ性能向上
上牟田雄一藤井章輔井野恒洋高石理一郎中崎 靖齋藤真澄東芝SDM2016-62 ICD2016-30 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-62 ICD2016-30
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文献情報 信学技報, vol. 116, no. 172, SDM2016-62, pp. 95-98, 2016年8月.
資料番号 SDM2016-62 
発行日 2016-07-25 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD SDM ITE-IST  
開催期間 2016-08-01 - 2016-08-03 
開催地(和) 中央電気倶楽部 
開催地(英) Central Electric Club 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2016-08-ICD-SDM-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 薄膜強誘電体HfO2を用いたトンネル接合メモリの動作実証とメモリ性能向上 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Demonstration and performance improvement of ferroelectric HfO2-based tunnel junction 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 上牟田 雄一 / Kamimuta Yuuichi / カミムタ ユウイチ
第1著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤井 章輔 / Shosuke Fujii / フジイ ショウスケ
第2著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 井野 恒洋 / Tsunehiro Ino / イノ ツネヒロ
第3著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 高石 理一郎 / Riichiro Takaishi / タカイシ リイチロウ
第4著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中崎 靖 / Yasushi Nakasaki / ナカサキ ヤスシ
第5著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 真澄 / Masumi Saitoh / サイトウ マスミ
第6著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-08-03 10:40:00 
発表時間 45分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2016-62, ICD2016-30 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.172(SDM), no.173(ICD) 
ページ範囲 pp.95-98 
ページ数
発行日 2016-07-25 (SDM, ICD) 


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