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講演抄録/キーワード
講演名 2016-08-03 15:30
負性容量によるトンネルFETの性能向上に関する検討
小林正治チャン キュンミン上山 望平本俊郎東大SDM2016-68 ICD2016-36 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-68 ICD2016-36
抄録 (和) センサーネットワークを構成するIoTデバイスには,エナジーハーベスティング技術を利用して超低電圧・超低消費電力で動作する,エネルギー効率の高い新しいトランジスタが望まれている.本稿では,これまで別個に検討されてきたトンネルFET(TFET)と負性容量FET(NCFET)の特徴を組み合わせた負性容量トンネルFET(NCTFET)を提案する。NCTFETではTFETのバンド間トンネルが強誘電性ゲート絶縁膜の負性容量効果によって増強する。その結果サブスレショルド係数が大幅に向上し、エネルギー効率が従来MOSFETやTFETに比べて10倍以上向上することを明らかにした。NCTFETはIoT技術のための新しいCMOSプラットフォーム技術として期待される. 
(英) IoT devices in a sensor network require a new energy-efficient transistor which operates at ultralow voltage and power employing energy-harvesting techniques. In this paper, we propose a new steep slope transistor by combining the feature of tunnel FET(TFET) and negative capacitance FET(NCFET) which have been independently studied so far. In NCTFET, band-to-band tunneling in TFET can be enhanced by negative capacitance effect of ferroelectric gate insulator. This results in improvement of subthreshold slope. The energy efficiency of NCTFET is about 10 times higher than conventional MOSFET and TFET. Therefore, NCTFET is expected to become a new CMOS platform for IoT application.
キーワード (和) トンネルFET / 負性容量FET / 急峻スロープトランジスタ / 強誘電体 / / / /  
(英) Tunnel FET / Negative Capacitance FET / steep slope transistor / ferroelectric / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 172, SDM2016-68, pp. 127-130, 2016年8月.
資料番号 SDM2016-68 
発行日 2016-07-25 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2016-68 ICD2016-36 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-68 ICD2016-36

研究会情報
研究会 ICD SDM ITE-IST  
開催期間 2016-08-01 - 2016-08-03 
開催地(和) 中央電気倶楽部 
開催地(英) Central Electric Club 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2016-08-ICD-SDM-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 負性容量によるトンネルFETの性能向上に関する検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Performance Enhancement of Tunnel FET by Negative Capacitance 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) トンネルFET / Tunnel FET  
キーワード(2)(和/英) 負性容量FET / Negative Capacitance FET  
キーワード(3)(和/英) 急峻スロープトランジスタ / steep slope transistor  
キーワード(4)(和/英) 強誘電体 / ferroelectric  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) チャン キュンミン / Kyungmin Jang / キュンミン チャン
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 上山 望 / Nozomu Ueyama / ウエヤマ ノゾム
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2016-08-03 15:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2016-68,IEICE-ICD2016-36 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.172(SDM), no.173(ICD) 
ページ範囲 pp.127-130 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2016-07-25,IEICE-ICD-2016-07-25 


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