| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-08-03 15:05 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき ○水谷朋子・竹内 潔・鈴木龍太・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大）  SDM2016-67 ICD2016-35 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2016-67 ICD2016-35 |
|
| 抄録 | （和） | 超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきを測定し，統計解析を行った．線幅が2nmまで減少すると，DIBLばらつきおよびデバイス内ばらつきは急激に増大する．このばらつきの増大は，ソース／ドレイン間のナノワイヤ幅の非対称性に起因する量子閉じ込め効果によると考えられる． |
| （英） | The effects of drain voltage in threshold voltage variability in extremely narrow silicon nanowire (NW) channel FETs are measured and statistically analyzed. It was found that the drain-induced variability and “within-device” variability increase as the NW width decreases to 2nm. The origin of the increased variability is ascribed to quantum confinement due to NW width asymmetry at the source and drain. | |
| キーワード | （和） | ナノワイヤトランジスタ / ばらつき / DIBL / / / / / |
| （英） | Nanowire MOSFET / Variability / DIBL / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 172, SDM2016-67, pp. 123-126, 2016年8月. | |
| 資料番号 | SDM2016-67 | |
| 発行日 | 2016-07-25 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-67 ICD2016-35 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2016-67 ICD2016-35 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM ITE-IST |
| 開催期間 | 2016-08-01 - 2016-08-03 |
| 開催地（和） | 中央電気倶楽部 |
| 開催地（英） | Central Electric Club |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-08-ICD-SDM-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Increased Drain-Induced Variability and Within-Device Variability in Extremely Narrow Silicon Nanowire MOSFETs with Width down to 2nm |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノワイヤトランジスタ / Nanowire MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | ばらつき / Variability |
| キーワード(3)（和/英） | DIBL / DIBL |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 潔 / Kiyoshi Takeuchi / タケウチ キヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 龍太 / Ryota Suzuki / ズズキ リョウタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-08-03 15:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-67, ICD2016-35 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.172(SDM), no.173(ICD) |
| ページ範囲 | pp.123-126 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-07-25 (SDM, ICD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]