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講演抄録/キーワード
講演名 2016-08-03 11:25
[招待講演]3端子スピン軌道トルク磁気メモリ素子 ~ 高速低消費電力不揮発性集積回路の実現を目指して ~
深見俊輔姉川哲朗大河原綾人張 超亮大野英男東北大SDM2016-63 ICD2016-31 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-63 ICD2016-31
抄録 (和) 集積回路に不揮発性スピントロニクス素子を混載することによって、高性能と低消費電力性を両立したコンピューティングシステムが実現できる。3端子スピントロニクス素子は現在実用化が目前に迫っている2端子型素子と比べて高速動作が可能でありまた設計の制約を緩和でき、より処理性能の高い集積回路を実現するための素子として有望である。本稿ではスピン軌道トルクを書き込み方法に用いた新構造の3端子スピン軌道トルク素子を開発し、0.5ナノ秒での電流パルスによる書き換え動作を実証した結果などを報告する。また無磁場動作を実現するための素子構造や反転電流の低減のための材料系に関する開発についても紹介する。 
(英) Integrated circuits with non-volatile spintronics memory devices open up new pathways toward ultralow-power and high-performance computing systems. Three-terminal spintronics devices allow high-speed operation and relaxed design constraints compared with the two-terminal counterpart. We here review our recent studies on three-terminal devices with spin-orbit torque induced switching, which can be reliably operated with sub-ns current pulses. Advanced structures and material engineering to further improve the device properties are also discussed.
キーワード (和) スピン軌道トルク / 3端子スピントロニクス素子 / 不揮発メモリ / / / / /  
(英) Spin-Orbit Torque / Three-Terminal Spintronics Device / Nonvolatile Memory / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 172, SDM2016-63, pp. 99-103, 2016年8月.
資料番号 SDM2016-63 
発行日 2016-07-25 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2016-63 ICD2016-31 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-63 ICD2016-31

研究会情報
研究会 ICD SDM ITE-IST  
開催期間 2016-08-01 - 2016-08-03 
開催地(和) 中央電気倶楽部 
開催地(英) Central Electric Club 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2016-08-ICD-SDM-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 3端子スピン軌道トルク磁気メモリ素子 
サブタイトル(和) 高速低消費電力不揮発性集積回路の実現を目指して 
タイトル(英) A Three-Terminal Spin-Orbit Torque Switching Magnetic Memory Device 
サブタイトル(英) Toward Realization of High-Speed and Low-Power Nonvolatile Integrated Circuits 
キーワード(1)(和/英) スピン軌道トルク / Spin-Orbit Torque  
キーワード(2)(和/英) 3端子スピントロニクス素子 / Three-Terminal Spintronics Device  
キーワード(3)(和/英) 不揮発メモリ / Nonvolatile Memory  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 深見 俊輔 / Shunsuke Fukami / フカミ シュンスケ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 姉川 哲朗 / Tetsuro Anekawa / アネカワ テツロウ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大河原 綾人 / Ayato Ohkawara / オオカワラ アヤト
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 張 超亮 / Chaoliang Zhang / チョウ チョウリョウ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 大野 英男 / Hideo Ohno / オオノ ヒデオ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-08-03 11:25:00 
発表時間 45分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2016-63, ICD2016-31 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.172(SDM), no.173(ICD) 
ページ範囲 pp.99-103 
ページ数
発行日 2016-07-25 (SDM, ICD) 


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