講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-07-24 09:55
高い共鳴トンネル電流の正孔トンネル型Si1-xGex/Si系2重量子井戸共鳴トンネルダイオード ○新川綾佳・脇谷 実・前田裕貴・塚本貴広・須田良幸(東京農工大) ED2016-33 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-33 |
抄録 |
(和) |
ガスソース分子線エピタキシー法を用いて作製した,正孔トンネル型Si1-xGex/Si系非対称2重量子井戸共鳴トンネルダイオード(ASDQW p-RTD)について,構造と作製プロセスの最適化を行った.結晶性の観点から,Ge組成比の最大値はおよそ0.18と分かった.また,共鳴電圧におけるコレクタ層側の障壁高さと共鳴トンネル準位の差が大きくなるようにp-RTDの設計を行った.その結果,Ge組成比0.18で作製した素子で,熱放射成分が抑制されて,共鳴トンネル電流が35 kA/cm2,山対谷電流比(PVCR)が~16の,従来より高い値を示す良好な特性が得られた. |
(英) |
Hole-tunneling Si1-xGex/Si asymmetric-double-quantum-well resonant tunneling diode (ASDQW p-RTD) was optimized in terms of its structure and fabrication processes with the gas-source molecular beam epitaxy (GSMBE) method. From the aspect of crystallinity, the maximum Ge content was found to be ~0.18. We also designed the p-RTD so that the difference between the barrier height, in the collector side, and the resonant tunneling energy at the resonance voltage became larger. The fabricated Si0.82Ge0.18/Si p-RTD exhibited the highest performance with a resonant tunneling current ratio (PVCR) of 16, with suppression of thermionic emission, which are larger than those reported by others by factors of 1.5 and 7, respectively. |
キーワード |
(和) |
共鳴トンネルダイオード / SiGe / / / / / / |
(英) |
Resonance tunneling diode / SiGe / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 158, ED2016-33, pp. 31-34, 2016年7月. |
資料番号 |
ED2016-33 |
発行日 |
2016-07-16 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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