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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-07-23 15:05 Ga2O3上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響 ○小西敬太・上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT）  ED2016-29 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2016-29 |
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| 抄録 | （和） | 現在，酸化ガリウム (Ga2O3) デバイスの高耐圧化のために，高品質な酸化シリコン (SiO2) 膜の形成が必須となっている．今回，SiO2膜のポストアニール条件を調査し，Ga2O3上におけるSiO2膜形成の最適条件を検討した．デバイス評価として，SiO2/Ga2O3 MOSダイオードを作製した．デバイスのC-V測定結果より，ポストアニール温度が800°C以上の時，アノード電圧0 V付近の容量変化がフラットになるリッジが明瞭に観測された．これは，Ga2O3基板における酸素欠損によるトラップであると考えられる． |
| （英） | Ga2O3 is an attractive new oxide semiconductor for next-generation power devices due to its extremely large bandgap of 4.5 eV. A high quality SiO2 film is essential for fabrication of field plate and/or passivation layer to improve the breakdown voltage of power devices. In this work, the effects of post-deposition anneal on the properties of SiO2 deposited on Ga2O3 and the SiO2/Ga2O3 interface were investigated to evaluate the optimal process conditions. The C-V characteristics of devices annealed at over 800°C showed a ledge at around 0 V, which could arise from electron trapping at the SiO2/Ga2O3 interface induced by high temperature annealing. | |
| キーワード | （和） | 酸化ガリウム / 酸化シリコン / 光支援C-V測定 / / / / / |
| （英） | Gallium oxide / Silicon dioxide / Photoassisted C-V measurement / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 158, ED2016-29, pp. 11-15, 2016年7月. | |
| 資料番号 | ED2016-29 | |
| 発行日 | 2016-07-16 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-29 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2016-29 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2016-07-23 - 2016-07-24 |
| 開催地（和） | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 |
| 開催地（英） | Tokyo Metropolitan Univ. Minami-Osawa Campus, International House |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Processes and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ga2O3上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of post-deposition anneal on SiO2 layer on Ga2O3 |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化ガリウム / Gallium oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化シリコン / Silicon dioxide |
| キーワード(3)（和/英） | 光支援C-V測定 / Photoassisted C-V measurement |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小西 敬太 / Keita Konishi / コニシ ケイタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上村 崇史 / Takafumi Kamimura / カミムラ タカフミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | ワン マンホイ / Man Hoi Wong / ワン マンホイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 公平 / Kohei Sasaki / ササキ コウヘイ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社タムラ製作所 (略称： タムラ製作所) Tamura Corp. (略称： Tamura Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 倉又 朗人 / Akito Kuramata / クラマタ アキト |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社タムラ製作所 (略称： タムラ製作所) Tamura Corp. (略称： Tamura Corp.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山腰 茂伸 / Shigenobu Yamakoshi / ヤマコシ シゲノブ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社タムラ製作所 (略称： タムラ製作所) Tamura Corp. (略称： Tamura Corp.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東脇 正高 / Masataka Higashiwaki / ヒガシワキ マサタカ |
| 第7著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-07-23 15:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-29 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.158 |
| ページ範囲 | pp.11-15 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-07-16 (ED) |
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