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講演抄録/キーワード
講演名 2016-06-29 10:40
[依頼講演]強誘電体絶縁膜の負性容量を利用した急峻スイッチング実現のためのSOI-FET設計指針
太田裕之右田真司服部淳一福田浩一産総研)・鳥海 明東大SDM2016-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-34
抄録 (和) 本研究では負性容量を用いて急峻なサブスレショルド係数(SS)を実現するための完全空乏型silicon-on-insulatorトランジスタ(SOI-FET)の設計指針について検討する。Technology computer aided design を用いたシミュレーションによれば、SS係数を幅広いゲート電圧領域で急峻化するためには、SOI層並びに強誘電体膜厚の適切な設定の他に、極薄の埋め込み酸化膜など、閾値電圧以下において強誘電体に効果的にゲート電圧を印可できるような構造が重要であることを報告する。 
(英) This paper discusses a design of fully depleted silicon-on-insulator field-effect transistors with ferroelectric gate insulators to attain a steep subthreshold swing (SS) by exploiting the negative capacitance. Our technology computer aided design simulation reveals that not only appropriate thickness of SOI and the ferroelectric layer but also an ulthathin buried oxide which enables to make voltage drop in the ferroelectric gate layer effectively is crucial to attain less than 60 mV/decade in a wide range of the gate voltage under the threshold voltage.
キーワード (和) 負性容量 / 強誘電体 / 急峻サブスレショルド係数 / silicon-on-insulator / 低電圧駆動 / トランジスタ / /  
(英) negative capacitance / ferroelectric / steep subthreshold swing / silicon-on-insulator / ow voltage operation / MOSFET / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 118, SDM2016-34, pp. 9-13, 2016年6月.
資料番号 SDM2016-34 
発行日 2016-06-22 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2016-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-34

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2016-06-29 - 2016-06-29 
開催地(和) キャンパス・イノベーションセンター東京 
開催地(英) Campus Innovation Center Tokyo 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2016-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 強誘電体絶縁膜の負性容量を利用した急峻スイッチング実現のためのSOI-FET設計指針 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Design of SOI-FETs for Steep Slope Switching using Negative Capacitance in Ferroelectric Gate Insulators 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 負性容量 / negative capacitance  
キーワード(2)(和/英) 強誘電体 / ferroelectric  
キーワード(3)(和/英) 急峻サブスレショルド係数 / steep subthreshold swing  
キーワード(4)(和/英) silicon-on-insulator / silicon-on-insulator  
キーワード(5)(和/英) 低電圧駆動 / ow voltage operation  
キーワード(6)(和/英) トランジスタ / MOSFET  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 太田 裕之 / Hiroyuki Ota / オオタ ヒロユキ
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 右田 真司 / Shinji Migita / ミギタ シンジ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 服部 淳一 / Junichi Hattori / ハットリ ジュンイチ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 福田 浩一 / Koichi Fukuda / フクダ コウイチ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 鳥海 明 / Akira Toriumi / トリウミ アキラ
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The Univsityer of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-06-29 10:40:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2016-34 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.118 
ページ範囲 pp.9-13 
ページ数
発行日 2016-06-22 (SDM) 


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