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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-06-29 16:40 TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成 ○大橋 匠・松浦賢太朗（東工大）・石原聖也・日比野祐介・澤本直美（明大）・角嶋邦之・筒井一生（東工大）・小椋厚志（明大）・若林 整（東工大）  SDM2016-46 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2016-46 |
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| 抄録 | （和） | 層状構造を有するMoS2は薄膜領域において高移動度を有することから，柔軟性や光透過性などを併せ持つ次世代の極微細Complementary TFTsとして期待されている．成膜には主に剥離法が用いられているが，面内均一性や膜厚制御性，不純物制御性に欠けるなど，実用化に向けて問題が山積している．そこで本研究では，従来のクリーンプロセスに適合する成膜方法として，大面積かつ低温度で成膜可能なRFマグネトロンスパッタリング法を採用し，SiO2/Si基板上へMoS2膜5層の成膜に成功した． |
| （英） | Multi-layered MoS2 has been expected as a new candidate for complementary TFT material owing to its promising characteristics such as flexibility, transparency, and high mobility in atomically thin region. Conventionally, an exfoliation method is mainly utilized to form MoS2, however, for practical application, it has many difficulties such as film uniformity, controllability of thickness, and controllability of impurities. In this study, we applied an RF magnetron sputtering method, which is a compatible method with conventional LSI technology, and leads to form the film largely in comparatively low temperature. As a result, five layers of MoS2 film was successfully formed on a SiO2/Si substrate. | |
| キーワード | （和） | 二硫化モリブデン（MoS2） / スパッタリング法 / Thin Film Transistor (TFT) / / / / / |
| （英） | Molybdenum Disulfide (MoS2) / Sputtering Method / Thin Film Transistor (TFT) / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 118, SDM2016-46, pp. 75-78, 2016年6月. | |
| 資料番号 | SDM2016-46 | |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-46 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2016-46 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-06-29 - 2016-06-29 |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MoS2 film formation by RF magnetron sputtering for thin film transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 二硫化モリブデン（MoS2） / Molybdenum Disulfide (MoS2) |
| キーワード(2)（和/英） | スパッタリング法 / Sputtering Method |
| キーワード(3)（和/英） | Thin Film Transistor (TFT) / Thin Film Transistor (TFT) |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大橋 匠 / Takumi Ohashi / オオハシ タクミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松浦 賢太朗 / Kentaro Matsuura / マツウラ ケンタロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石原 聖也 / Seiya Ishihara / イシハラ セイヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 日比野 祐介 / Yusuke Hibino / ヒビノ ユウスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤本 直美 / Naomi Sawamoto / サワモト ナオミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui / ツツイ カズオ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小椋 厚志 / Atsushi Ogura / オグラ アツシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若林 整 / Hitoshi Wakabayashi / ワカバヤシ ヒトシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-06-29 16:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-46 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.118 |
| ページ範囲 | pp.75-78 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) |
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