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講演抄録/キーワード
講演名 2016-05-20 11:55
III-V/Siヘテロエピタキシーのための界面制御
山根啓輔関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2016-26 CPM2016-14 SDM2016-31 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-26 CPM2016-14 SDM2016-31
抄録 (和) 本稿では、GaP/SiヘテロエピタキシーのためのSi基板上第一原子層の形成行程に着目し、Si基板の表面状態とGaP成長層に生じるアンチフェーズドメインとの関係を明らかにする。成長開始前、Si微傾斜基板にP2分子線照射を高温(>640°C)にて行うと、Si基板表面にステップバンチングを生じ、基板表面のテラス幅が拡大する。このような表面にGaP層をエピタキシャル成長すると、テラス幅に相当する底辺を持つアンチフェーズドメインが生じ、自己消滅までの膜厚が増加することが明らかになった。従って、P2分子線照射を、基板温度を十分に下げたところで行い、Si基板表面にステップバンチングを生じない温度領域で結晶成長を開始することが重要である. 
(英) This paper focuses a formation process of the first atomic layer on Si substrates for GaP/Si heteroepitaxy. It is clarified that surface states of vicinal Si substrates strongly affects a generation of anti-phase domains (APDs) in GaP layers. When P2-molecular-beam was irradiated on vicinal Si substrates at higher temperature (over 640°C), step-bunching with multi-atomic steps occurred, resulting in a formation of wide terraces on the substrate. In the GaP layers grown on a step-bunched Si surfece, relatively large APDs were generated. The terrace-width of the step-bunched Si surface was close to the mean width of the APD-base. Therefore, it is of particular importance that the growth starts at the temperature range that single atomic layer is kept during the P2-molecular-beam irradiation before the growth.
キーワード (和) Si / GaP / アンチフェーズドメイン / / / ステップバンチング / /  
(英) Si / GaP / Anti-phase domain / / / step-bunching / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 48, ED2016-26, pp. 61-65, 2016年5月.
資料番号 ED2016-26 
発行日 2016-05-12 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 CPM ED SDM  
開催期間 2016-05-19 - 2016-05-20 
開催地(和) 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) 
開催地(英) Shizuoka University, Hamamatsu campus (Joint Research Lab.) 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
テーマ(英) crystal growth、devices characterization , etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2016-05-CPM-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) III-V/Siヘテロエピタキシーのための界面制御 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Interface control for III-V/Si hetero-epitaxy 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Si / Si  
キーワード(2)(和/英) GaP / GaP  
キーワード(3)(和/英) アンチフェーズドメイン / Anti-phase domain  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) ステップバンチング / step-bunching  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山根 啓輔 / Keisuke Yamane / ヤマネ ケイスケ
第1著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学工学研究科 (略称: 豊橋技科大)
Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 関口 寛人 / Hiroto Sekiguchi / セキグチ ヒロト
第2著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学工学研究科 (略称: 豊橋技科大)
Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ
第3著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所 (略称: 豊橋技科大)
Electronics-Inspired Interdisciplinary Research Institute, Toyohashi University of Technology (略称: EIIRIS)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara / ワカハラ アキヒロ
第4著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学工学研究科 (略称: 豊橋技科大)
Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Tech.)
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講演者
発表日時 2016-05-20 11:55:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2016-26,IEICE-CPM2016-14,IEICE-SDM2016-31 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.48(ED), no.49(CPM), no.50(SDM) 
ページ範囲 pp.61-65 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2016-05-12,IEICE-CPM-2016-05-12,IEICE-SDM-2016-05-12 


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