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講演抄録/キーワード
講演名 2016-05-20 11:05
Si(111)-√3×√3-Ga表面相上へのGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
下山浩哉・○森 雅之前澤宏一富山大ED2016-24 CPM2016-12 SDM2016-29 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-24 CPM2016-12 SDM2016-29
抄録 (和) Si(111)基板上のGa誘起表面再構成構造(Si(111)-√3×√3-Ga)を介したSi(111)基板上へのGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長について調査した。成長は2段階成長法を用いて行ったが、260℃での1層目の成長中、Sb/Gaフラックス比を慎重に1に制御することにより、双晶のない高品質なGaSb薄膜を成長できることをRHEED及びXRD測定(scan)の結果から見出した。XRD測定(2 scan)の結果は、550nmの膜厚の試料において96arcsecの半値幅を示した。 
(英) The heteroepitaxial growth of GaSb films via Ga-induced surface phase (Si(111)-√3×√3-Ga) on Si(111) was studied. The growth of GaSb was performed by using two-step growth procedure. We found that the high quality GaSb films without twins can be grown by using the growth temperature of 260 oC during the 1st layer deposition, in which the flux ratio of Sb/Ga was precisely controlled to be 1.0. We confirmed the twinless nature by RHEED observation and XRD -scan pattern.
キーワード (和) GaSb / Si(111) / Heteroepitaxy / Ga-induced surface phase / / / /  
(英) GaSb / Si(111) / Heteroepitaxy / Ga-induced surface phase / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 48, ED2016-24, pp. 51-54, 2016年5月.
資料番号 ED2016-24 
発行日 2016-05-12 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード ED2016-24 CPM2016-12 SDM2016-29 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-24 CPM2016-12 SDM2016-29

研究会情報
研究会 CPM ED SDM  
開催期間 2016-05-19 - 2016-05-20 
開催地(和) 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) 
開催地(英) Shizuoka University, Hamamatsu campus (Joint Research Lab.) 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
テーマ(英) crystal growth、devices characterization , etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2016-05-CPM-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Si(111)-√3×√3-Ga表面相上へのGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Heteroepitaxial Growth of GaSb Films on Si(111)-√3x√3-Ga Surface Phase 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaSb / GaSb  
キーワード(2)(和/英) Si(111) / Si(111)  
キーワード(3)(和/英) Heteroepitaxy / Heteroepitaxy  
キーワード(4)(和/英) Ga-induced surface phase / Ga-induced surface phase  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 下山 浩哉 / Hiroya Shimoyama / シモヤマ ヒロヤ
第1著者 所属(和/英) 富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. of Toyama)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 雅之 / Masayuki Mori / モリ マサユキ
第2著者 所属(和/英) 富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. of Toyama)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 前澤 宏一 / Koichi Maezawa / マエザワ コウイチ
第3著者 所属(和/英) 富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. of Toyama)
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講演者
発表日時 2016-05-20 11:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2016-24,IEICE-CPM2016-12,IEICE-SDM2016-29 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.48(ED), no.49(CPM), no.50(SDM) 
ページ範囲 pp.51-54 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2016-05-12,IEICE-CPM-2016-05-12,IEICE-SDM-2016-05-12 


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