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講演抄録/キーワード
講演名 2016-05-19 13:00
ドライ転写技術によるナノキャビティ上へのCVD単層グラフェンダイアフラムの製作
石田隼斗石田 誠豊橋技科大)・澤田和明高橋一浩豊橋技科大/豊橋技科大EIIRISエレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-13 CPM2016-1 SDM2016-18
抄録 (和) 近年CVDグラフェンを任意基板上に転写する技術に関する研究は盛んに行われている。本研究では、グラフェンの共振器デバイスへの応用に向けた、簡易かつ低温でのドライ転写方式を提案した。その結果、キャビティをCVD単層グラフェンによる封止型ドラム構造の製作に成功し、キャビティサイズは最大直径6 m、最小深さ670 nmを達成した。ラマンスペクトル測定結果において、2D/G比は1.88を示し、Dピークはほとんどみられず、高品質な単層グラフェンのキャビティ封止型ドラム構造の製作に成功した。また、PMMA起因のラマンピークは確認されなかったことから、提案するドライ転写におけるキャビティ封止型ドラム構造の形成において、液体でのPMMA除去は有効であることが実証された。 
(英) Recent research on a technique for transferring a CVD graphene on any substrate has been actively conducted. In this work, for the application of the resonator device of graphene, we proposed a dry transfer technique with a simple and low temperature. As a result, we succeeded cavity fabrication of edge-clamped drum structure by transferring CVD single-layer graphene, the cavity size was achieved to be maximum diameter of 6 m and the minimum depth of 670 nm. We obtained Raman spectrum with 2D / G ratio of 1.88 and few D peak, which indicated that the edge-clamped drum structure of the high-quality single-layer graphene was achieved. Further, by observation of Raman spectrum, we experimentally demonstrated the usability of PMMA removal in liquid in the fabrication of edge-clamped drum structure using dry transfer with PMMA.
キーワード (和) NEMS / MEMS / グラフェン / ドライ転写 / / / /  
(英) NEMS / MEMS / graphene / dry transfer / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 50, SDM2016-18, pp. 1-4, 2016年5月.
資料番号 SDM2016-18 
発行日 2016-05-12 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 CPM ED SDM  
開催期間 2016-05-19 - 2016-05-20 
開催地(和) 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) 
開催地(英) Shizuoka University, Hamamatsu campus (Joint Research Lab.) 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
テーマ(英) crystal growth、devices characterization , etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2016-05-CPM-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ドライ転写技術によるナノキャビティ上へのCVD単層グラフェンダイアフラムの製作 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of CVD single-layer graphene diaphragm above a nano cavity by dry transfer technique 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) NEMS / NEMS  
キーワード(2)(和/英) MEMS / MEMS  
キーワード(3)(和/英) グラフェン / graphene  
キーワード(4)(和/英) ドライ転写 / dry transfer  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 石田 隼斗 / Hayato Ishida / イシダ ハヤト
第1著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石田 誠 / Makoto Ishida / イシダ マコト
第2著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 澤田 和明 / Kazuaki Sawada / サワダ カズアキ
第3著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学/エレクトロニクス先端融合研究所 (略称: 豊橋技科大/豊橋技科大EIIRIS)
Toyohashi University of Technology/2Electronis-inspired Interdisciplinary Research Institute (略称: Toyohashi Tech./EIIRIS)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 一浩 / Kazuhiro Takahashi / タカハシ カズヒロ
第4著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学/エレクトロニクス先端融合研究所 (略称: 豊橋技科大/豊橋技科大EIIRIS)
Toyohashi University of Technology/2Electronis-inspired Interdisciplinary Research Institute (略称: Toyohashi Tech./EIIRIS)
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講演者
発表日時 2016-05-19 13:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-ED2016-13,IEICE-CPM2016-1,IEICE-SDM2016-18 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.48(ED), no.49(CPM), no.50(SDM) 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2016-05-12,IEICE-CPM-2016-05-12,IEICE-SDM-2016-05-12 


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