電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2016-05-19 13:25
熱化学気相成長法による合金基板上へのグラフェン合成
岸 直希岩間一樹水谷拓哉加藤慎也曽我哲夫名工大ED2016-14 CPM2016-2 SDM2016-19 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-14 CPM2016-2 SDM2016-19
抄録 (和) グラフェンの熱化学気相成長法による合成では、その層数や質は基板に用いる金属の種類に依存することが知られている。これまでにCuやNiを基板に用いるのが主流であり多数報告されている。一方で合金を基板に用いたグラフェン合成に関しては詳細が知られていない。本研究では、CuとNiの合金であるキュプロニッケルを基板として用いたグラフェン合成について検討を行いその詳細を調べた。 
(英) The number of layers and quality of graphenes synthesized by chemical vapor deposition (CVD) depends on the type of metal substrates. Typical CVDs of graphenes uses Cu and Ni as the metal substrates. However the details of graphene synthesis on metal alloy has not been clarified. Here, we report that the graphene synthesis on cupronickel, which is a metal alloy of Cu and Ni.
キーワード (和) グラフェン / 熱化学気相成長法 / 合金基板 / / / / /  
(英) Graphenes / Thermal chemical vapor deposition / Metal alloy substrates / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 49, CPM2016-2, pp. 5-8, 2016年5月.
資料番号 CPM2016-2 
発行日 2016-05-12 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2016-14 CPM2016-2 SDM2016-19 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-14 CPM2016-2 SDM2016-19

研究会情報
研究会 CPM ED SDM  
開催期間 2016-05-19 - 2016-05-20 
開催地(和) 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) 
開催地(英) Shizuoka University, Hamamatsu campus (Joint Research Lab.) 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
テーマ(英) crystal growth、devices characterization , etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2016-05-CPM-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 熱化学気相成長法による合金基板上へのグラフェン合成 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Synthesis of graphenes on metal alloy substrates by thermal chemical vapor deposition 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) グラフェン / Graphenes  
キーワード(2)(和/英) 熱化学気相成長法 / Thermal chemical vapor deposition  
キーワード(3)(和/英) 合金基板 / Metal alloy substrates  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸 直希 / Naoki Kishi / キシ ナオキ
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NITech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩間 一樹 / Kazuki Iwama / イワマ カズキ
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NITech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 水谷 拓哉 / Takuya Mizutani / ミズタニ タクヤ
第3著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NITech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 慎也 / Shinya Kato / カトウ シンヤ
第4著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NITech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 曽我 哲夫 / Tetsuo Soga / ソガ テツオ
第5著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NITech)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2016-05-19 13:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-ED2016-14,IEICE-CPM2016-2,IEICE-SDM2016-19 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.48(ED), no.49(CPM), no.50(SDM) 
ページ範囲 pp.5-8 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2016-05-12,IEICE-CPM-2016-05-12,IEICE-SDM-2016-05-12 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会