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講演抄録/キーワード
講演名 2016-05-13 14:50
SiCパワーモジュールの配線インダクタンスが過渡特性に及ぼす影響に関する一検討
増田瑛介井渕貴章舟木 剛阪大)・大嶽浩隆宮崎達也金武康雄中村 孝ロームEMCJ2016-15
抄録 (和) 電力変換回路のさらなる低損失化の実現に向け、次世代パワー半導体デバイスによるスイッチング速度の高速化の検討が進められている。しかし、高速スイッチング動作は回路配線の寄生インダクタンスとの相互作用によってサージを発生させ、回路から生じるEMIノイズの一要因となる。サージやEMIノイズの低減を図るためには、回路や素子の寄生成分のモデル化及びそれに基づく回路設計を行うことが必要である。本検討では配線構造の異なるSiCパワーモジュールを対象とし、部分要素等価回路法を用いた配線インダクタンスのモデル化の検討及び降圧DC/DCコンバータにおける過渡特性の評価を行った。さらにスナバコンデンサによるサージ電圧抑制効果についてもあわせて検証した。 
(英) Fast switching operation using wide-bandgap power semiconductor devices is expected to reduce the switching loss in a converter. However, large $di/dt$ and $dv/dt$ also lead to surge and EMI(Electro-Magnetic Interference) noise by interacting with circuit parasitic inductance. It is necessary to model parasitic component in circuit or element, and to estimate their influence on transient characteristics of power devices. This report models interconnect inductance of SiC power module using Partial Element Equivalent Circuit method and evaluates its influence on transient characteristic in a DC/DC buck converter. This work also studies the effect of a snubber capacitor on the suppression of surge voltage.
キーワード (和) サージ / EMI / 寄生インダクタンス / 部分要素等価回路法 / スナバコンデンサ / / /  
(英) Surge / EMI / Parasitic inductance / Partial Element Equivalent Circuit method / Snubber capasitor / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 26, EMCJ2016-15, pp. 35-40, 2016年5月.
資料番号 EMCJ2016-15 
発行日 2016-05-06 (EMCJ) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード EMCJ2016-15

研究会情報
研究会 EMCJ  
開催期間 2016-05-13 - 2016-05-13 
開催地(和) 北海道大学 百年記念会館 
開催地(英) Hokkaido University 
テーマ(和) パワエレ,EMC一般 
テーマ(英) Power Electronics, EMC 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EMCJ 
会議コード 2016-05-EMCJ 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiCパワーモジュールの配線インダクタンスが過渡特性に及ぼす影響に関する一検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A study on influence of interconnect inductance of a SiC power module on transient characteristic 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) サージ / Surge  
キーワード(2)(和/英) EMI / EMI  
キーワード(3)(和/英) 寄生インダクタンス / Parasitic inductance  
キーワード(4)(和/英) 部分要素等価回路法 / Partial Element Equivalent Circuit method  
キーワード(5)(和/英) スナバコンデンサ / Snubber capasitor  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 増田 瑛介 / Eisuke Masuda / マスダ エイスケ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 井渕 貴章 / Takaaki Ibuchi / イブチ タカアキ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 舟木 剛 / Tsuyoshi Funaki / フナキ ツヨシ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大嶽 浩隆 / Hirotaka Otake / オオタケ ヒロタカ
第4著者 所属(和/英) ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM Co., Ltd. (略称: ROHM)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮崎 達也 / Tatsuya Miyazaki / ミヤザキ タツヤ
第5著者 所属(和/英) ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM Co., Ltd. (略称: ROHM)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 金武 康雄 / Yasuo Kanetake / カネタケ ヤスオ
第6著者 所属(和/英) ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM Co., Ltd. (略称: ROHM)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 孝 / Takashi Nakamura / ナカムラ タカシ
第7著者 所属(和/英) ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM Co., Ltd. (略称: ROHM)
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講演者
発表日時 2016-05-13 14:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 EMCJ 
資料番号 IEICE-EMCJ2016-15 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.26 
ページ範囲 pp.35-40 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-EMCJ-2016-05-06 


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