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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-05-13 15:40 高速電力変換回路内部を対象とした相互誘導によるスイッチング特性評価 ○緒形 航・和田圭二（首都大東京）  EMCJ2016-17 |
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| 抄録 | （和） | 近年，SiC やGaN などの次世代半導体デバイスの発展によって，電力変換回路内部の寄生要素がもたらすスイッチング特性への影響についての研究が多くなされている．しかしながら，多くの研究では自己インダクタンスの影響のみでしか議論されていなく，相互インダクタンスの影響を分離して検討した研究については十分な議論がなされてきていない．電力変換回路内部には主回路やゲート駆動回路，制御回路など多くの電流ループが1 枚のプリント基板上に配線されることから，相互インダクタンスを考慮した配線構造設計の重要性が今後高まると考えられる．本論文では，主回路の直流側配線部分とゲート駆動配線部分の間に生じる相互インダクタンスの影響をシミュレーション結果と実験結果を用いて検討する．対象とする回路は，パワーデバイスにSiC-MOSFET とSBDを用いて，直流電圧500 V, 出力電流20 A の降圧チョッパ回路とした． |
| （英） | Recently, because of the development of power devices such as SiC and GaN devices, influence of parasitic parameters which are wiring inductance in power electronics circuits is discussed in many papers. However, it is should be discussed not only self-inductance but also mutual inductance in power electronics circuit. Because, power electronics circuits has some circuit loops such as main, gate-drive, and control circuits on one printed circuit board (PCB). This paper presents an influence of mutual inductance between main and gate-drive circuit, and simulation and experimental results, rated at 500 V and 20 A using SiC-MOSFET and SBD, will be shown. | |
| キーワード | （和） | スイッチング特性 / 相互インダクタンス / SiC-MOSFET / 寄生インダクタンス / / / / |
| （英） | switching characteristic / Mutual Inductance / SiC-MOSFET / Wiring Inductance / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 26, EMCJ2016-17, pp. 47-52, 2016年5月. | |
| 資料番号 | EMCJ2016-17 | |
| 発行日 | 2016-05-06 (EMCJ) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMCJ2016-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMCJ |
| 開催期間 | 2016-05-13 - 2016-05-13 |
| 開催地（和） | 北海道大学 百年記念会館 |
| 開催地（英） | Hokkaido University |
| テーマ（和） | パワエレ，EMC一般 |
| テーマ（英） | Power Electronics, EMC |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EMCJ |
| 会議コード | 2016-05-EMCJ |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高速電力変換回路内部を対象とした相互誘導によるスイッチング特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influence of Mutual Induction on Switching Characteristics Inside a High Speed Power Converter |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | スイッチング特性 / switching characteristic |
| キーワード(2)（和/英） | 相互インダクタンス / Mutual Inductance |
| キーワード(3)（和/英） | SiC-MOSFET / SiC-MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | 寄生インダクタンス / Wiring Inductance |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 緒形 航 / Ko Ogata / オガタ コオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京) Tokyo Metropolitan University (略称： TMU) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 和田 圭二 / Keiji Wada / ワダ ケイジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京) Tokyo Metropolitan University (略称： TMU) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-05-13 15:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | EMCJ |
| 資料番号 | EMCJ2016-17 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.26 |
| ページ範囲 | pp.47-52 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-05-06 (EMCJ) |
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