講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-04-21 11:30
低抵抗・高耐圧GaAs SBDを用いた5.8GHz帯高効率整流器の試作結果 ○中村茉里香・山口裕太郎・津留正臣・相原育貴・下川床 潤・本間幸洋・谷口英司(三菱電機) WPT2016-3 MW2016-3 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2016-3 |
抄録 |
(和) |
宇宙太陽光発電システム等のマイクロ波電力伝送システムの受電部に用いられる整流器には, 高入力電力時におけるRF-DC変換効率の向上が求められており, 高効率を達成するためには, ブレークダウン電圧の向上とRC積の低減が必要である. ここではn-GaAs層の薄層化により低抵抗化した高耐圧GaAsショットキーバリアダイオード (SBD) を開発し, これを用いて5.8 GHz帯整流器を試作した結果について報告する. 試作した整流器を測定した結果, 入力電力26 dBm時にRF-DC変換効率81.7%と良好な結果を得た. |
(英) |
High RF-DC conversion efficiency at high input power are required for rectifiers used in receivers of the microwave power transmission systems, such as space solar power systems. Low RC product and high breakdown voltage are required to realize high efficiency. In this paper, the 5.8 GHz-band rectifier, with the high breakdown voltage GaAs Schottky barrier diode (SBD) is described which resistance is reduced by thinning the n-GaAs thickness. The fabricated rectifier archived 81.7% RF-DC conversion efficiency at the input power of 26 dBm. |
キーワード |
(和) |
宇宙太陽光発電システム / マイクロ波無線電力伝送 / レクテナ / 整流器 / 5.8 GHz帯 / / / |
(英) |
Space Solar Power Systems / Microwave Wireless Power Transmission / Rectenna / Rectifier / 5.8 GHz-band / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 12, WPT2016-3, pp. 11-15, 2016年4月. |
資料番号 |
WPT2016-3 |
発行日 |
2016-04-14 (WPT, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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