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講演抄録/キーワード
講演名 2016-04-15 10:55
[招待講演]車載向け高温Tj=175℃書換え1億回以上、エネルギー0.07mJ/8kBの90nm 1T-MONOS eFlashの開発
中西 悟三谷秀徳松原 謙吉田 浩河野隆司帯刀恭彦伊藤 孝倉藤 崇野口健二日高秀人山内忠明ルネサス エレクトロニクスエレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2016-15
抄録 (和) 車載用途のフラッシュメモリを混載したマイコン向けに、90nmプロセスの1T-MONOS構造を採用した混載用フラッシュマクロを開発し、リードディスターブフリーなメモリアレイ構造により、車載品質への対応を可能とした。リードディスターブだけでなく、スロープパルスの適応制御によりTj=175℃で1億回以上の書換え耐性と書換え時の消費エネルギー0.07mJ/8kBを実現した。また、1T-MONOSベースの低消費MCUシステムにより従来システムに比べエンジン停止時の消費電力を99%削減可能とした。 
(英) A first-ever 90nm embedded 1T-MONOS Flash macro is presented to realize automotive reliability and simple process integration. Read Disturb Free Array Architecture fully solves conventional read disturb issue in 1T-MONOS for automotive use. Adaptable Slope Pulse Control (ASPC) technique can achieve endurance over 100M cycles at Tj = 175°C and P/E current of only 98uA. Idling P/E Management Unit (IPEMU) scheme can reduce power consumption in Automotive Analog system by 99%.
キーワード (和) 車載用途 / 混載用フラッシュメモリ / 高書換え耐性 / 低消費電力 / 1T-MONOS / / /  
(英) for Automotive / embedded Flash memory / high P/E endurance / low power consumption / 1T-MONOS / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 3, ICD2016-15, pp. 77-81, 2016年4月.
資料番号 ICD2016-15 
発行日 2016-04-07 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2016-04-14 - 2016-04-15 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) メモリ技術と一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2016-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 車載向け高温Tj=175℃書換え1億回以上、エネルギー0.07mJ/8kBの90nm 1T-MONOS eFlashの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 90nm Embedded 1T-MONOS Flash Macro for Automotive Applications with 0.07mJ/8kB Rewrite Energy and Endurance Over 100M Cycles Under Tj of 175°C 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 車載用途 / for Automotive  
キーワード(2)(和/英) 混載用フラッシュメモリ / embedded Flash memory  
キーワード(3)(和/英) 高書換え耐性 / high P/E endurance  
キーワード(4)(和/英) 低消費電力 / low power consumption  
キーワード(5)(和/英) 1T-MONOS / 1T-MONOS  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中西 悟 / Satoru Nakanishi / ナカニシ サトル
第1著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 三谷 秀徳 / Hidenori Mitani / ミタニ ヒデノリ
第2著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松原 謙 / Ken Matsubara / マツバラ ケン
第3著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 浩 / Hiroshi Yoshida / ヨシダ ヒロシ
第4著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 河野 隆司 / Takashi Kono / コウノ タカシ
第5著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 帯刀 恭彦 / Yasuhiko Taito / タイトウ ヤスヒコ
第6著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 孝 / Takashi Ito / イトウ タカシ
第7著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 倉藤 崇 / Takashi Kurafuji / クラフジ タカシ
第8著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 野口 健二 / Kenji Noguchi / ノグチ ケンジ
第9著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 日高 秀人 / Hideto Hidaka / ヒダカ ヒデト
第10著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 山内 忠明 / Tadaaki Yamauchi / ヤマウチ タダアキ
第11著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
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講演者
発表日時 2016-04-15 10:55:00 
発表時間 50 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2016-15 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.3 
ページ範囲 pp.77-81 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ICD-2016-04-07 


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