講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-04-14 14:50
[依頼講演]A Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1E17-Cycle Endurance ○齋藤 仁・中村 亘・小澤聡一郎・佐次田直也・三原 智・彦坂幸信・王 文生・堀 智之・高井一章・中澤光晴・小杉 騰・濱田 誠・川嶋将一郎・恵下 隆・松宮正人(FSL) ICD2016-9 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2016-9 |
抄録 |
(和) |
我々は低電圧1.2 V動作, 書き換え回数1E17 サイクルの強誘電体RAM(FRAM)を開発した。我々が新たに開発したトリプル・プロテクション構造のセル・アレイは, 追加マスク工程不要で, 水素や湿度による劣化から0.4 μm^2の強誘電体キャパシタを効果的に保護する。我々はCOB(Capacitor over bit-line)構造で0.5 μm^2の小セル・サイズを実現した。 |
(英) |
We have developed a ferroelectric RAM (FRAM) with a low operation voltage of 1.2 V and a high switching endurance up to 1E17 cycles. Our newly developed triple- protection structured cell array, has constructed without an additional mask step, effectively protects 0.4-μm^2 ferroelectric capacitors from hydrogen and moisture degradation. We have designed our capacitor-over-bit-line (COB) structure to have a small cell size of 0.5-μm^2. |
キーワード |
(和) |
FRAM / PZT / COB / 低電圧動作 / 書き換え回数 / トリプル・プロテクション構造 / / |
(英) |
FRAM / PZT / COB / low voltage operation / high switching endurance / triple-protection structure / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 3, ICD2016-9, pp. 45-49, 2016年4月. |
資料番号 |
ICD2016-9 |
発行日 |
2016-04-07 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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