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講演抄録/キーワード
講演名 2016-04-14 11:00
[依頼講演]298-fJ/writecycle 650-fJ/readcycleを実現する画像処理プロセッサ向け28-nm FD-SOI 8T 3ポートSRAM
森 陽紀中川知己北原佑起河本優太高木健太吉本秀輔和泉慎太郎神戸大)・新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・川口 博吉本雅彦神戸大ICD2016-3 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2016-3
抄録 (和) 28-nm FD-SOIプロセス技術を用いた, 低消費電力かつ低電圧な画像処理向け64-kb 8T3ポートSRAMを提案する. 本提案SRAMは, 8トランジスタのビットセルから構成され, 1-write/2-readの3ポートを持つと同時に多数決論理回路を備えアクティブエネルギを削減する. 本テストチップは, 最小電圧0.46 Vにおいて, アクセス時間140 nsで動作することを確認した. 最小動作エネルギ点は, 電源電圧0.54 V, アクセス時間55 ns (=18.2 MHz)であり, 多数決論理を組み合わせた場合, 298-fJ/writecycle, 650-fJ/readcycleの動作エネルギを達成した. これらの値は, 28-nm FD-SOI 6TSRAMに比べてそれぞれ78%及び52%の動作エネルギ削減を達成した. 
(英) This paper presents a low-power and low-voltage 64-kb 8T three-port image memory using a 28-nm FD-SOI process technology. Our proposed SRAM accommodates eight-transistor bitcells comprising one-write/two-read ports and a majority logic circuit to save active energy. The test chip can operate at a supply voltage of 0.46 V and an access time of 140 ns. The energy minimum point is a supply voltage of 0.54 V and an access time of 55 ns (= 18.2 MHz), at which 298 fJ/cycle in a write operation and 650 fJ/cycle in a read operation are achieved with the help of the majority logic; these factor are 87% and 52% smaller than those in a 28-nm FD-SOI 6T SRAM.
キーワード (和) Image Memory / Multiport SRAM / 8T / FD-SOI / 28-nm / Majority Logic / /  
(英) Image Memory / Multiport SRAM / 8T / FD-SOI / 28-nm / Majority Logic / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 3, ICD2016-3, pp. 13-16, 2016年4月.
資料番号 ICD2016-3 
発行日 2016-04-07 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2016-3 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2016-3

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2016-04-14 - 2016-04-15 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) メモリ技術と一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2016-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 298-fJ/writecycle 650-fJ/readcycleを実現する画像処理プロセッサ向け28-nm FD-SOI 8T 3ポートSRAM 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 298-fJ/writecycle 650-fJ/readcycle 8T Three-Port SRAM in 28-nm FD-SOI Process Technology for Image Processor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Image Memory / Image Memory  
キーワード(2)(和/英) Multiport SRAM / Multiport SRAM  
キーワード(3)(和/英) 8T / 8T  
キーワード(4)(和/英) FD-SOI / FD-SOI  
キーワード(5)(和/英) 28-nm / 28-nm  
キーワード(6)(和/英) Majority Logic / Majority Logic  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 陽紀 / Haruki Mori / モリ ハルキ
第1著者 所属(和/英) 神戸大学 (略称: 神戸大)
Kobe University (略称: Kobe Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中川 知己 / Tomoki Nakagawa / ナカガワ トモキ
第2著者 所属(和/英) 神戸大学 (略称: 神戸大)
Kobe University (略称: Kobe Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 北原 佑起 / Yuki Kitahara / キタハラ ユウキ
第3著者 所属(和/英) 神戸大学 (略称: 神戸大)
Kobe University (略称: Kobe Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 河本 優太 / Yuta Kawamoto / カワモト ユウタ
第4著者 所属(和/英) 神戸大学 (略称: 神戸大)
Kobe University (略称: Kobe Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高木 健太 / Kenta Takagi / タカギ ケンタ
第5著者 所属(和/英) 神戸大学 (略称: 神戸大)
Kobe University (略称: Kobe Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉本 秀輔 / Shusuke Yoshimoto / ヨシモト シュウスケ
第6著者 所属(和/英) 神戸大学 (略称: 神戸大)
Kobe University (略称: Kobe Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 和泉 慎太郎 / Shintaro Izumi / イズミ シンタロウ
第7著者 所属(和/英) 神戸大学 (略称: 神戸大)
Kobe University (略称: Kobe Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ
第8著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 川口 博 / Hiroshi Kawaguchi / カワグチ ヒロシ
第9著者 所属(和/英) 神戸大学 (略称: 神戸大)
Kobe University (略称: Kobe Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉本 雅彦 / Masahiko Yoshimoto / ヨシモト マサヒコ
第10著者 所属(和/英) 神戸大学 (略称: 神戸大)
Kobe University (略称: Kobe Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-04-14 11:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2016-3 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.3 
ページ範囲 pp.13-16 
ページ数
発行日 2016-04-07 (ICD) 


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