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講演抄録/キーワード
講演名 2016-04-14 13:25
[依頼講演]IoT向け端末に組み込まれるコンパレータ回路のバイアス電流を最適化した0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路
田中誠大石井智也蜂谷尚悟寧 渉洋竹内 健中大エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2016-6
抄録 (和) バッテリーレスなIoT向け端末に組み込まれるデータストレージとして,低電圧・低電力書き込み可能な抵抗変化型メモリ(ReRAM)が注目されている.本論文では,0.6V動作ReRAM向け書き込み電圧生成回路を制御するコンパレータ回路のバイアス電流の最適化手法を提案する.提案手法により,コンパレータ回路のバイアス電流を2mAで固定とした場合と比較して書き込み電圧のリップルが26%減少し,コンパレータ回路のバイアス電流を8mAで固定とした場合と比較して効率が8.9%増加した. 
(英) Resistive RAM (ReRAM) is considered as candidates for batteryless IoT local device because of the low voltage and low power program operation compared with the conventional NAND flash memory. In this paper, 0.6V operation ReRAM program voltage generator with the 2µA to 8µA adaptive comparator current (ICMP) is proposed to achieve low ReRAM program voltage ripple (VRIPPLE) and high energy efficiency, simultaneously. In detail, for one ReRAM cell program, the proposed program voltage generator reduces VRIPPLE by 26% compared with the conventional program voltage generator with fixed 2µA small ICMP. For 16 ReRAM cells program, the proposed program voltage generator improves 8.9% energy efficiency compared with the conventional program voltage generator with fixed 8µA large ICMP.
キーワード (和) Internet of things (IoT) / 組み込みメモリ / ブーストコンバータ / 抵抗変化型メモリ(ReRAM) / / / /  
(英) Internet of things (IoT) / Embedded memory / Boost converter / Resistive RAM (ReRAM) / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 3, ICD2016-6, pp. 27-32, 2016年4月.
資料番号 ICD2016-6 
発行日 2016-04-07 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2016-04-14 - 2016-04-15 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) メモリ技術と一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2016-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) IoT向け端末に組み込まれるコンパレータ回路のバイアス電流を最適化した0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 0.6V Operation ReRAM Program Voltage Generator with Adaptively Optimized Comparator Bias-Current for Batteryless IoT Local Device 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Internet of things (IoT) / Internet of things (IoT)  
キーワード(2)(和/英) 組み込みメモリ / Embedded memory  
キーワード(3)(和/英) ブーストコンバータ / Boost converter  
キーワード(4)(和/英) 抵抗変化型メモリ(ReRAM) / Resistive RAM (ReRAM)  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 誠大 / Masahiro Tanaka / タナカ マサヒロ
第1著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石井 智也 / Tomoya Ishii / イシイ トモヤ
第2著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 蜂谷 尚悟 / Shogo Hachiya / ハチヤ ショウゴ
第3著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 寧 渉洋 / Sheyang Ning /
第4著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン
第5著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
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講演者
発表日時 2016-04-14 13:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2016-6 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.3 
ページ範囲 pp.27-32 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2016-04-07 


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