講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-04-09 12:05
レーザーアニール技術の高性能パワーMOSFETsプロセスへの応用 ○陳 訳・岡田竜弥・野口 隆(琉球大) SDM2016-17 OME2016-17 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-17 OME2016-17 |
抄録 |
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キーワード |
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文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 1, SDM2016-17, pp. 71-75, 2016年4月. |
資料番号 |
SDM2016-17 |
発行日 |
2016-04-01 (SDM, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
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研究会情報 |
研究会 |
SDM OME |
開催期間 |
2016-04-08 - 2016-04-09 |
開催地(和) |
沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 |
開催地(英) |
Okinawa Prefectural Museum & Art Museum |
テーマ(和) |
薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
テーマ(英) |
Thin film devices, etc |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2016-04-SDM-OME |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
レーザーアニール技術の高性能パワーMOSFETsプロセスへの応用 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
An Application of Green Laser Annealing in Low-Voltage Power MOSFETs |
サブタイトル(英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
陳 訳 / Yi Chen / チン ヤク |
第1著者 所属(和/英) |
琉球大学 (略称: 琉球大)
University of the Ryukyus (略称: Univ. of the Ryukyus) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
岡田 竜弥 / Tatsuya Okada / オカダ タツヤ |
第2著者 所属(和/英) |
琉球大学 (略称: 琉球大)
University of the Ryukyus (略称: Univ. of the Ryukyus) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
野口 隆 / Takashi Noguchi / |
第3著者 所属(和/英) |
琉球大学 (略称: 琉球大)
University of the Ryukyus (略称: Univ. of the Ryukyus) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2016-04-09 12:05:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2016-17, OME2016-17 |
巻番号(vol) |
vol.116 |
号番号(no) |
no.1(SDM), no.2(OME) |
ページ範囲 |
pp.71-75 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2016-04-01 (SDM, OME) |
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