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講演抄録/キーワード
講演名 2016-04-08 14:20
[招待講演]Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価
志村洋介静岡大)・竹内和歌奈坂下満男黒澤昌志中塚 理財満鎭明名大SDM2016-5 OME2016-5 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-5 OME2016-5
抄録 (和) Si基板上への電子デバイスおよび光学デバイス集積に、Siプロセスへの親和性が高く、歪およびエネルギーバンドギャップの制御が可能なSn系IV族半導体混晶が注目されている。我々は非平衡成長により固溶限を超えるSn原子の導入を達成し、その安定化に歪が大きく関与していることを見出した。また、様々なIV族半導体元素からなる多元系混晶の高品質薄膜成長に成功し、それらの物性評価を行った。特にエネルギーバンド構造の実験的評価により、Sn系IV族半導体混晶の光学デバイス応用への展望が大きく開けた。 
(英) Strain and energy band structure can be designed in Sn-containing group-IV semiconductor alloys. Moreover, as these new semiconductor materials are compatible with a conventional Si process, they are fascinating materials to be implemented into both electronic and optoelectronic devices to realize an integration of them on a Si substrate. We have achieved to grow those epitaxial layers with stabilized high amount of Sn by non-equilibrium growth and controlling strain. Characterization of binary and ternary Sn-containing group-IV alloys, especially the experimentally confirmed their energy band structure, represents a prospect of monolithic integration of everything on a chip.
キーワード (和) シリコンフォトニクス / Sn / / エネルギーバンド構造 / / / /  
(英) Si-photonics / Sn / strain / energy band structure / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 1, SDM2016-5, pp. 23-26, 2016年4月.
資料番号 SDM2016-5 
発行日 2016-04-01 (SDM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード SDM2016-5 OME2016-5 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-5 OME2016-5

研究会情報
研究会 SDM OME  
開催期間 2016-04-08 - 2016-04-09 
開催地(和) 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 
開催地(英) Okinawa Prefectural Museum & Art Museum 
テーマ(和) 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 
テーマ(英) Thin film devices, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2016-04-SDM-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Growth and characterization of Sn-containing group-IV semiconductor thin film 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコンフォトニクス / Si-photonics  
キーワード(2)(和/英) Sn / Sn  
キーワード(3)(和/英) / strain  
キーワード(4)(和/英) エネルギーバンド構造 / energy band structure  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 志村 洋介 / Yosuke Shimura / シムラ ヨウスケ
第1著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Sizuoka University (略称: Sizuoka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒澤 昌志 / Masashi Kurosawa / クロサワ マサシ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者
発表日時 2016-04-08 14:20:00 
発表時間 40 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2016-5,IEICE-OME2016-5 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.1(SDM), no.2(OME) 
ページ範囲 pp.23-26 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2016-04-01,IEICE-OME-2016-04-01 


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