講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-04-08 15:00
絶縁基板上における高Sn濃度(>10%)GeSn薄膜結晶の形成 ○茂藤健太・松村 亮・佐道泰造・池上 浩・宮尾正信(九大) SDM2016-6 OME2016-6 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-6 OME2016-6 |
抄録 |
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キーワード |
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文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 1, SDM2016-6, pp. 27-28, 2016年4月. |
資料番号 |
SDM2016-6 |
発行日 |
2016-04-01 (SDM, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
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研究会情報 |
研究会 |
SDM OME |
開催期間 |
2016-04-08 - 2016-04-09 |
開催地(和) |
沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 |
開催地(英) |
Okinawa Prefectural Museum & Art Museum |
テーマ(和) |
薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
テーマ(英) |
Thin film devices, etc |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2016-04-SDM-OME |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
絶縁基板上における高Sn濃度(>10%)GeSn薄膜結晶の形成 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Formation of GeSn Thin-Film-Crystals with high Sn concentration (>10%) on insulator |
サブタイトル(英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
茂藤 健太 / Kenta Moto / モトウ ケンタ |
第1著者 所属(和/英) |
九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
松村 亮 / Ryo Matsumura / マツムラ リョウ |
第2著者 所属(和/英) |
九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
佐道 泰造 / Taizo Sadoh / サドウ タイゾウ |
第3著者 所属(和/英) |
九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
池上 浩 / Hiroshi Ikenoue / イケノウエ ヒロシ |
第4著者 所属(和/英) |
九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
宮尾 正信 / Masanobu Miyao / ミヤオ マサノブ |
第5著者 所属(和/英) |
九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2016-04-08 15:00:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2016-6, OME2016-6 |
巻番号(vol) |
vol.116 |
号番号(no) |
no.1(SDM), no.2(OME) |
ページ範囲 |
pp.27-28 |
ページ数 |
2 |
発行日 |
2016-04-01 (SDM, OME) |
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