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講演抄録/キーワード
講演名 2016-03-11 11:15
整数計画法に基づくマルチレベルフラッシュメモリに適したWOM符号の構成
藤野陽樹和田山 正名工大
技報オンラインサービス実施中
抄録 (和) 本稿では,整数計画法に基づくフラッシュメモリに適した 多値WOM(Write-Once-Memory) 符号の構成法を提案する.
本稿で検討する固定レート$(n, q, M, t^*)$-WOM符号では,
$n$個の$q$レベルセルに対して$M$種類のメッセージを最悪時でも
$t^*$回書き込み可能である.
提案法の特徴は,符号を構成するために必要な書き込み領域の系統的な決定法を有する点と
整数計画法に基づき状態にラベリングを行う点である.
ここで,書き込み領域とは,符号化において次状態を定める際に利用する集合である.
提案構成法に基づいて,WOM符号を構成した結果,
セル数$n=2$の場合,既知の最悪書き換え回数の上界と
提案WOM符号の最悪書き換え回数は$M = 8,q in [4,8]$の範囲で完全に一致し,
最適WOM符号が得られた.
提案法の特長として,高次元の場合への拡張も比較的容易な点が挙げられる.
一例として,新しく構成された$(n = 3, q = 7, M = 7, t^* = 8)$-WOM符号は,
既知のWOM符号を上回る最悪書き込み回数を与えている. 
(英) In this paper,
we proposed a construction of non-binary WOM (Write-Once-Memory) codes
for multilevel ($q$-level) flash memories based on integer programming.
The WOM codes discussed in this paper are
fixed rate $(n, q, M, t^*)$-WOM codes where
messages in an alphabet of size $M$
can be written in $n$-cells at least $t^*$-times.
The proposed construction has the two features.
First, it possesses a systematic method to determine the writable areas needed to construct the codes.
Second, the proposed construction includes
a labeling method for cell states by using integer programming.
The novel WOM codes with $n=2$ and $M= 8$ constructed by the proposed construction
achieve the number of writes $t^*$ that meet the known upper bound
in the range $q in [4,8]$. They are thus optimal in terms of the number of writes $t^*$.
One of advantages of the proposed construction
is flexibility; it can be used for high dimensional cases.
For example, the new $(n = 3, q = 7, M = 7, t^* = 8)$-WOM code provides
larger $t^*$ than that of the known $(3, 7, 7 ,7)$-WOM code.
キーワード (和) WOM符号 / フラッシュメモリ / 整数計画法 / / / / /  
(英) WOM-code / flash memories / integer programming / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 500, IT2015-129, pp. 169-174, 2016年3月.
資料番号 IT2015-129 
発行日 2016-03-03 (IT, ISEC, WBS) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 IT ISEC WBS  
開催期間 2016-03-10 - 2016-03-11 
開催地(和) 電気通信大学 
開催地(英) The University of Electro-Communications 
テーマ(和) IT・ISEC・WBS合同研究会 
テーマ(英) joint meeting of IT, ISEC, and WBS 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IT 
会議コード 2016-03-IT-ISEC-WBS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 整数計画法に基づくマルチレベルフラッシュメモリに適したWOM符号の構成 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Construction of WOM codes for multilevel flash memories based of integer programming 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) WOM符号 / WOM-code  
キーワード(2)(和/英) フラッシュメモリ / flash memories  
キーワード(3)(和/英) 整数計画法 / integer programming  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤野 陽樹 / Yoju Fujino /
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 和田山 正 / Tadashi Wadayama /
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NIT)
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講演者
発表日時 2016-03-11 11:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 IT 
資料番号 IEICE-IT2015-129,IEICE-ISEC2015-88,IEICE-WBS2015-112 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.500(IT), no.501(ISEC), no.502(WBS) 
ページ範囲 pp.169-174 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-IT-2016-03-03,IEICE-ISEC-2016-03-03,IEICE-WBS-2016-03-03 


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