講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-03-03 16:20
シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング ○渡辺時暢・堀 匡寛・小野行徳(富山大) ED2015-125 SDM2015-132 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-125 SDM2015-132 |
抄録 |
(和) |
SOI基板上に作製したゲート付PINダイオードのチャージポンピング電流を7-300Kの温度範囲で測定し,100K以下の温度では,チャージポンピング電流がバックゲート電圧の極性に強く依存することを見いだした.また,チャージポンピングに用いるパルスの立ち上がり,立下り時間依存性も,バックゲート電圧の極性により異なることを見出した.これらの結果は,SOIデバイスを用いた低温チャージポンピングにより,伝導帯近傍と価電子帯近傍の界面欠陥状態密度を分離して計測できることを示唆している. |
(英) |
The charge pumping (CP) currents are measured at 7 – 300 K with a SOI PIN diode. The CP current is found to exhibit a strong polarity dependence of the backgate bias. The dependence of the CP current on the rising/falling time has also a strong polarity dependence of the backgate bias. These results suggest that the low-temperature CP on the SOI devices enables us to obtain the density of state profile near the conduction and valence-band edges separately. |
キーワード |
(和) |
チャージポンピング / 界面欠陥 / SOI / 低温 / / / / |
(英) |
charge pumping / interface defects / SOI / low-temperature / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 470, SDM2015-132, pp. 23-26, 2016年3月. |
資料番号 |
SDM2015-132 |
発行日 |
2016-02-25 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2015-125 SDM2015-132 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-125 SDM2015-132 |
研究会情報 |
研究会 |
ED SDM |
開催期間 |
2016-03-03 - 2016-03-04 |
開催地(和) |
北海道大学百年記念会館 |
開催地(英) |
Centennial Hall, Hokkaido Univ. |
テーマ(和) |
機能ナノデバイスおよび関連技術 |
テーマ(英) |
Functional Nanodevices and Related Technologies |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2016-03-ED-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Low-temperature charge pumping for SiO2/Si interface states |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
チャージポンピング / charge pumping |
キーワード(2)(和/英) |
界面欠陥 / interface defects |
キーワード(3)(和/英) |
SOI / SOI |
キーワード(4)(和/英) |
低温 / low-temperature |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
渡辺 時暢 / Tokinobu Watanabe / ワタナベ トキノブ |
第1著者 所属(和/英) |
富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. of Toyama) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
堀 匡寛 / Masahiro Hori / ホリ マサヒロ |
第2著者 所属(和/英) |
富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. of Toyama) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小野 行徳 / Yukinori Ono / オノ ユキノリ |
第3著者 所属(和/英) |
富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. of Toyama) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2016-03-03 16:20:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
ED2015-125, SDM2015-132 |
巻番号(vol) |
vol.115 |
号番号(no) |
no.469(ED), no.470(SDM) |
ページ範囲 |
pp.23-26 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2016-02-25 (ED, SDM) |