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講演抄録/キーワード
講演名 2016-03-03 14:00
[招待講演]酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開
前元利彦孫 屹松田宗平佐々木翔太芦田浩平カルトシュタイン オリバー小山政俊小池一歩矢野満明佐々誠彦阪工大ED2015-121 SDM2015-128 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-121 SDM2015-128
抄録 (和) 酸化物半導体のデバイス応用として,フレキシブル酸化亜鉛(Zinc oxide; ZnO)薄膜トランジスタの開発と高性能化、プラスチック基板上ZnO薄膜トランジスタの曲げ耐性評価、ZnOトランジスタの完全透明化,ZnOセルフスイッチングナノダイオードの開発を行った.本稿では,それらの研究において得られた成果と知見について報告する. 
(英) We report on the fabrication and characterization of flexible thin-film-transistors using a transparent zinc oxide (ZnO) semiconductor. Characterizations in bending experiments of flexible ZnO-TFTs and DC characteristics for fully transparent ZnO-TFTs were reported. The self-switching nano-diodes (SSD) were fabricated by using electron beam lithography and wet chemical etching at room temperature. ZnO-SSDs on glass substrate and a fully transparent ZnO-SSD were also characterized for transparent device applications.
キーワード (和) 酸化亜鉛 / 透明 / フレキシブル / 薄膜トランジスタ / セルフスイッチング型ナノダイオード / / /  
(英) Zinc oxide / Transparent / Flexible / Thin-film transistor / Self-switching nano-diode / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 469, ED2015-121, pp. 1-6, 2016年3月.
資料番号 ED2015-121 
発行日 2016-02-25 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2015-121 SDM2015-128 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-121 SDM2015-128

研究会情報
研究会 ED SDM  
開催期間 2016-03-03 - 2016-03-04 
開催地(和) 北海道大学百年記念会館 
開催地(英) Centennial Hall, Hokkaido Univ. 
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英) Functional Nanodevices and Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2016-03-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Recent Development in Thin-Film Device Applications using Oxide Semiconductors 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 酸化亜鉛 / Zinc oxide  
キーワード(2)(和/英) 透明 / Transparent  
キーワード(3)(和/英) フレキシブル / Flexible  
キーワード(4)(和/英) 薄膜トランジスタ / Thin-film transistor  
キーワード(5)(和/英) セルフスイッチング型ナノダイオード / Self-switching nano-diode  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 前元 利彦 / Toshihiko Maemoto / マエモト トシヒコ
第1著者 所属(和/英) 大阪工業大学 (略称: 阪工大)
Osaka Institute of Technology (略称: Osaka Inst. Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 孫 屹 / Yi Sun / ソン イ
第2著者 所属(和/英) 大阪工業大学 (略称: 阪工大)
Osaka Institute of Technology (略称: Osaka Inst. Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松田 宗平 / Souhei Matsuda / マツダ ソウヘイ
第3著者 所属(和/英) 大阪工業大学 (略称: 阪工大)
Osaka Institute of Technology (略称: Osaka Inst. Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐々木 翔太 / Shota Sasaki / ササキ ショウタ
第4著者 所属(和/英) 大阪工業大学 (略称: 阪工大)
Osaka Institute of Technology (略称: Osaka Inst. Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 芦田 浩平 / Kouhei Ashida / アシダ コウヘイ
第5著者 所属(和/英) 大阪工業大学 (略称: 阪工大)
Osaka Institute of Technology (略称: Osaka Inst. Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) カルトシュタイン オリバー / Oliver Kaltstein / カルトシュタイン オリバー
第6著者 所属(和/英) 大阪工業大学 (略称: 阪工大)
Osaka Institute of Technology (略称: Osaka Inst. Tech.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 小山 政俊 / Masatoshi Koyama / コヤマ マサトシ
第7著者 所属(和/英) 大阪工業大学 (略称: 阪工大)
Osaka Institute of Technology (略称: Osaka Inst. Tech.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 小池 一歩 / Kazuto Koike / コイケ カズト
第8著者 所属(和/英) 大阪工業大学 (略称: 阪工大)
Osaka Institute of Technology (略称: Osaka Inst. Tech.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 矢野 満明 / Mitsuaki Yano / ヤノ ミツアキ
第9著者 所属(和/英) 大阪工業大学 (略称: 阪工大)
Osaka Institute of Technology (略称: Osaka Inst. Tech.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐々 誠彦 / Shigehiko Sasa / ササ シゲヒコ
第10著者 所属(和/英) 大阪工業大学 (略称: 阪工大)
Osaka Institute of Technology (略称: Osaka Inst. Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-03-03 14:00:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2015-121, SDM2015-128 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.469(ED), no.470(SDM) 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数
発行日 2016-02-25 (ED, SDM) 


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