講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-03-03 14:00
[招待講演]酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開 ○前元利彦・孫 屹・松田宗平・佐々木翔太・芦田浩平・カルトシュタイン オリバー・小山政俊・小池一歩・矢野満明・佐々誠彦(阪工大) ED2015-121 SDM2015-128 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-121 SDM2015-128 |
抄録 |
(和) |
酸化物半導体のデバイス応用として,フレキシブル酸化亜鉛(Zinc oxide; ZnO)薄膜トランジスタの開発と高性能化、プラスチック基板上ZnO薄膜トランジスタの曲げ耐性評価、ZnOトランジスタの完全透明化,ZnOセルフスイッチングナノダイオードの開発を行った.本稿では,それらの研究において得られた成果と知見について報告する. |
(英) |
We report on the fabrication and characterization of flexible thin-film-transistors using a transparent zinc oxide (ZnO) semiconductor. Characterizations in bending experiments of flexible ZnO-TFTs and DC characteristics for fully transparent ZnO-TFTs were reported. The self-switching nano-diodes (SSD) were fabricated by using electron beam lithography and wet chemical etching at room temperature. ZnO-SSDs on glass substrate and a fully transparent ZnO-SSD were also characterized for transparent device applications. |
キーワード |
(和) |
酸化亜鉛 / 透明 / フレキシブル / 薄膜トランジスタ / セルフスイッチング型ナノダイオード / / / |
(英) |
Zinc oxide / Transparent / Flexible / Thin-film transistor / Self-switching nano-diode / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 469, ED2015-121, pp. 1-6, 2016年3月. |
資料番号 |
ED2015-121 |
発行日 |
2016-02-25 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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