講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-03-03 15:55
ナノワイヤサーモパイル型赤外線センサのための均一SiGe混晶の成長と熱電特性 ○池田浩也・ムスサミ オンプラカシュ・早川泰弘(静岡大) ED2015-124 SDM2015-131 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-124 SDM2015-131 |
抄録 |
(和) |
我々は,サーモパイル型赤外線センサの感度向上のために,SiGe ナノワイヤの導入に注目している.本研 究では,実際に SiGe ナノワイヤでサーモパイルを作製するのに必要となる SiGe 混晶について,独自に開発した温度 傾斜溶質輸送結晶成長法を用いて,均一組成の Si1-xGex 混晶を得ることに成功した.その結晶成長機構を解明する ために,X 線透過法によるその場観察を行い,溶質対流による Si 原子の輸送や結晶化の開始点などを明らかにした. さら Ga および Sb をドープすることにより p 型および n 型 Si1-xGex 混晶を作製し,熱電特性について調べた. |
(英) |
With the aim of realizing high-sensitivity thermopile infrared-photodetectors, we have investigated the enhancement of the thermoelectric performance by introducing SiGe nanowires. In the present study, we successfully produced compositionally homogeneous Si1-xGex polycrystals, which is required for fabrication of SiGe nanowires, using a temperature gradient growth method established by ourselves. In-situ x-ray penetration method was used for clarifying the detail growth mechanism, and Si transport due to solutal convection and crystalization position were made clear. In addition, we formed p- and n-type Si1-xGex by doping Ga and Sb, respectively. Their thermoelectric characteristics were also evaluated. |
キーワード |
(和) |
赤外線センサ / 熱電変換 / SiGe混晶 / ゼーベック係数 / 性能指数 / / / |
(英) |
IR photodetector / thermoelectrics / SiGe / Seebeck coefficient / figure of merit / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 470, SDM2015-131, pp. 19-22, 2016年3月. |
資料番号 |
SDM2015-131 |
発行日 |
2016-02-25 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2015-124 SDM2015-131 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-124 SDM2015-131 |
研究会情報 |
研究会 |
ED SDM |
開催期間 |
2016-03-03 - 2016-03-04 |
開催地(和) |
北海道大学百年記念会館 |
開催地(英) |
Centennial Hall, Hokkaido Univ. |
テーマ(和) |
機能ナノデバイスおよび関連技術 |
テーマ(英) |
Functional Nanodevices and Related Technologies |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2016-03-ED-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
ナノワイヤサーモパイル型赤外線センサのための均一SiGe混晶の成長と熱電特性 |
サブタイトル(和) |
|
タイトル(英) |
Growth and thermoelectric properties of compositionally homogeneous SiGe for nanowire thermopile infrared photodetector |
サブタイトル(英) |
|
キーワード(1)(和/英) |
赤外線センサ / IR photodetector |
キーワード(2)(和/英) |
熱電変換 / thermoelectrics |
キーワード(3)(和/英) |
SiGe混晶 / SiGe |
キーワード(4)(和/英) |
ゼーベック係数 / Seebeck coefficient |
キーワード(5)(和/英) |
性能指数 / figure of merit |
キーワード(6)(和/英) |
/ |
キーワード(7)(和/英) |
/ |
キーワード(8)(和/英) |
/ |
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
池田 浩也 / Hiroya Ikeda / イケダ ヒロヤ |
第1著者 所属(和/英) |
静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
ムスサミ オンプラカシュ / Muthusamy Omprakash / ムスサミ オンプラカシュ |
第2著者 所属(和/英) |
静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
早川 泰弘 / Yasuhiro Hayakawa / ハヤカワ ヤスヒロ |
第3著者 所属(和/英) |
静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第4著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第5著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第6著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第7著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第8著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第9著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第10著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第11著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第12著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第13著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第14著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第15著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第16著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第17著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第18著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第19著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第20著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2016-03-03 15:55:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
ED2015-124, SDM2015-131 |
巻番号(vol) |
vol.115 |
号番号(no) |
no.469(ED), no.470(SDM) |
ページ範囲 |
pp.19-22 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2016-02-25 (ED, SDM) |
|