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講演抄録/キーワード
講演名 2016-03-03 15:55
ナノワイヤサーモパイル型赤外線センサのための均一SiGe混晶の成長と熱電特性
池田浩也ムスサミ オンプラカシュ早川泰弘静岡大ED2015-124 SDM2015-131 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-124 SDM2015-131
抄録 (和) 我々は,サーモパイル型赤外線センサの感度向上のために,SiGe ナノワイヤの導入に注目している.本研 究では,実際に SiGe ナノワイヤでサーモパイルを作製するのに必要となる SiGe 混晶について,独自に開発した温度 傾斜溶質輸送結晶成長法を用いて,均一組成の Si1-xGex 混晶を得ることに成功した.その結晶成長機構を解明する ために,X 線透過法によるその場観察を行い,溶質対流による Si 原子の輸送や結晶化の開始点などを明らかにした. さら Ga および Sb をドープすることにより p 型および n 型 Si1-xGex 混晶を作製し,熱電特性について調べた. 
(英) With the aim of realizing high-sensitivity thermopile infrared-photodetectors, we have investigated the enhancement of the thermoelectric performance by introducing SiGe nanowires. In the present study, we successfully produced compositionally homogeneous Si1-xGex polycrystals, which is required for fabrication of SiGe nanowires, using a temperature gradient growth method established by ourselves. In-situ x-ray penetration method was used for clarifying the detail growth mechanism, and Si transport due to solutal convection and crystalization position were made clear. In addition, we formed p- and n-type Si1-xGex by doping Ga and Sb, respectively. Their thermoelectric characteristics were also evaluated.
キーワード (和) 赤外線センサ / 熱電変換 / SiGe混晶 / ゼーベック係数 / 性能指数 / / /  
(英) IR photodetector / thermoelectrics / SiGe / Seebeck coefficient / figure of merit / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 470, SDM2015-131, pp. 19-22, 2016年3月.
資料番号 SDM2015-131 
発行日 2016-02-25 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2015-124 SDM2015-131 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-124 SDM2015-131

研究会情報
研究会 ED SDM  
開催期間 2016-03-03 - 2016-03-04 
開催地(和) 北海道大学百年記念会館 
開催地(英) Centennial Hall, Hokkaido Univ. 
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英) Functional Nanodevices and Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2016-03-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ナノワイヤサーモパイル型赤外線センサのための均一SiGe混晶の成長と熱電特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Growth and thermoelectric properties of compositionally homogeneous SiGe for nanowire thermopile infrared photodetector 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 赤外線センサ / IR photodetector  
キーワード(2)(和/英) 熱電変換 / thermoelectrics  
キーワード(3)(和/英) SiGe混晶 / SiGe  
キーワード(4)(和/英) ゼーベック係数 / Seebeck coefficient  
キーワード(5)(和/英) 性能指数 / figure of merit  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 浩也 / Hiroya Ikeda / イケダ ヒロヤ
第1著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) ムスサミ オンプラカシュ / Muthusamy Omprakash / ムスサミ オンプラカシュ
第2著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 早川 泰弘 / Yasuhiro Hayakawa / ハヤカワ ヤスヒロ
第3著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-03-03 15:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 ED2015-124, SDM2015-131 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.469(ED), no.470(SDM) 
ページ範囲 pp.19-22 
ページ数
発行日 2016-02-25 (ED, SDM) 


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