電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2016-03-01 17:05
薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの検討
吉田有佑工藤 優宇佐美公良芝浦工大VLD2015-130
抄録 (和) 近年、環境発電やセンサーノードが注目され、低消費電力、超低電圧で動作可能なメモリが求められている。しかし、従来のSRAMでは超低電圧での動作が難しいとされている。そこで本研究では、FD-SOIデバイスの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon-on-Thin-BOX : SOTB)を用いて、スタンダードセルを組み合わせることによって実現されるスタンダードセルメモリ(Standard Cell Memory : SCM)の設計を行い、基板バイアス制御手法の提案と適用により低消費電力、超低電圧動作可能なメモリの検討を行う。 
(英) In recent years, energy harvesting and sensor node have attracted a lot of attention. Therefore, a memory which can reduce power consumption and realizes ultra-low voltage operation is required. However, it is especially difficult for the conventional SRAM to operate at ultra-low voltage. This paper describes a design of low-power and ultra-low voltage operation Standard Cell Memory (SCM) using Silicon-on-Thin-BOX (SOTB). SOTB is one of the FD-SOI devices. We investigated the memory which can operate low-power consumption and ultra-low voltage operation by performing a body bias control.
キーワード (和) 薄膜BOX-SOI / 基板バイアス / Standard Cell Memory / / / / /  
(英) Silicon-on-Thin-BOX / Body Bias / Standard Cell Memory / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 465, VLD2015-130, pp. 111-116, 2016年2月.
資料番号 VLD2015-130 
発行日 2016-02-22 (VLD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2015-130

研究会情報
研究会 VLD  
開催期間 2016-02-29 - 2016-03-02 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawa Seinen Kaikan 
テーマ(和) システムオンシリコンを支える設計技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2016-02-VLD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low-power Standard Cell Memory using Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) and Body-bias Control 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 薄膜BOX-SOI / Silicon-on-Thin-BOX  
キーワード(2)(和/英) 基板バイアス / Body Bias  
キーワード(3)(和/英) Standard Cell Memory / Standard Cell Memory  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 有佑 / Yusuke Yoshida / ヨシダ ユウスケ
第1著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: SIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 工藤 優 / Masaru Kudo / クドウ マサル
第2著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: SIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / ウサミ キミヨシ
第3著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: SIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2016-03-01 17:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 VLD 
資料番号 IEICE-VLD2015-130 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.465 
ページ範囲 pp.111-116 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-VLD-2016-02-22 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会