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講演抄録/キーワード
講演名 2016-01-28 13:30
[招待講演]ファンデルワールス接合の作製と量子輸送現象
町田友樹守谷 頼佐田洋太山口健洋荒井美穂矢吹直人森川 生増渕 覚東大)・上野啓司埼玉大SDM2015-123 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-123
抄録 (和) グラフェンや二次元層状物質をファンデルワールス力で積層した、ファンデルワールス接合を用いた新機能素子実現の試みについて述べる。(1) グラフェン/MoS2接合を利用した縦型電界効果トランジスタの実現。(2) Fe0.25TaS2/Fe0.25TaS2磁気トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗効果の観測。(3) NbSe2/NbSe2接合におけるジョセフソン効果の観測。 
(英) Recent advances in transfer techniques of atomic layers have enabled one to fabricate van der Waals junctions of two-dimensional (2D) crystals such as graphene, hexagonal boron nitride (h-BN), and transition-metal dichalcogenides (TMDs). Here, we present our recent experiments in graphene/2D crystal van der Waals junctions: (i) large current modulation in metal/TMD/graphene vertical FET, (ii) tunneling magnetoresistance in Fe0.25TaS2/ Fe0.25TaS2 junctions, (iii) Josephson effect in NbSe2/NbSe2 junctions.
キーワード (和) ファンデルワールス接合 / 縦型電界効果トランジスタ / 磁気トンネル接合 / ジョセフソン接合 / / / /  
(英) van der Waals Junctions / Vertical Field-Effect Transistor / Magnetic tunnel junction / Josephson junction / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 440, SDM2015-123, pp. 13-16, 2016年1月.
資料番号 SDM2015-123 
発行日 2016-01-21 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2015-123 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-123

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2016-01-28 - 2016-01-28 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2016-01-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ファンデルワールス接合の作製と量子輸送現象 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Van der Waals Junctions of Layered 2D Materials for Functional Devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ファンデルワールス接合 / van der Waals Junctions  
キーワード(2)(和/英) 縦型電界効果トランジスタ / Vertical Field-Effect Transistor  
キーワード(3)(和/英) 磁気トンネル接合 / Magnetic tunnel junction  
キーワード(4)(和/英) ジョセフソン接合 / Josephson junction  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 町田 友樹 / Tomoki Machida / マチダ トモキ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 守谷 頼 / Rai Moritani / モリタニ ライ
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐田 洋太 / Yohta Sata / サタ ヨウタ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 健洋 / Takehiro Yamaguchi / ヤマグチ タケヒロ
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒井 美穂 / Miho Arai / アライ ミホ
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 矢吹 直人 / Naoto Yabuki / ヤブキ ナオト
第6著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 森川 生 / Sei Morikawa / モリカワ セイ
第7著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 増渕 覚 / Satoru Masubuchi / マスブチ サトル
第8著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 上野 啓司 / Keiji Ueno / ウエノ ケイジ
第9著者 所属(和/英) 埼玉大学 (略称: 埼玉大)
Saitama University (略称: Saitama Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-01-28 13:30:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2015-123 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.440 
ページ範囲 pp.13-16 
ページ数
発行日 2016-01-21 (SDM) 


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