講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-01-28 13:30
[招待講演]ファンデルワールス接合の作製と量子輸送現象 ○町田友樹・守谷 頼・佐田洋太・山口健洋・荒井美穂・矢吹直人・森川 生・増渕 覚(東大)・上野啓司(埼玉大) SDM2015-123 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-123 |
抄録 |
(和) |
グラフェンや二次元層状物質をファンデルワールス力で積層した、ファンデルワールス接合を用いた新機能素子実現の試みについて述べる。(1) グラフェン/MoS2接合を利用した縦型電界効果トランジスタの実現。(2) Fe0.25TaS2/Fe0.25TaS2磁気トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗効果の観測。(3) NbSe2/NbSe2接合におけるジョセフソン効果の観測。 |
(英) |
Recent advances in transfer techniques of atomic layers have enabled one to fabricate van der Waals junctions of two-dimensional (2D) crystals such as graphene, hexagonal boron nitride (h-BN), and transition-metal dichalcogenides (TMDs). Here, we present our recent experiments in graphene/2D crystal van der Waals junctions: (i) large current modulation in metal/TMD/graphene vertical FET, (ii) tunneling magnetoresistance in Fe0.25TaS2/ Fe0.25TaS2 junctions, (iii) Josephson effect in NbSe2/NbSe2 junctions. |
キーワード |
(和) |
ファンデルワールス接合 / 縦型電界効果トランジスタ / 磁気トンネル接合 / ジョセフソン接合 / / / / |
(英) |
van der Waals Junctions / Vertical Field-Effect Transistor / Magnetic tunnel junction / Josephson junction / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 440, SDM2015-123, pp. 13-16, 2016年1月. |
資料番号 |
SDM2015-123 |
発行日 |
2016-01-21 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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