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講演抄録/キーワード
講演名 2016-01-28 15:20
[招待講演]次世代垂直磁化MTJを用いた高速・低消費電力のキャッシュメモリ階層技術を持つノーマリーオフプロセッサ
池上一隆野口紘希高谷 聡鎌田親義天野 実安部恵子櫛田桂一北川英二落合隆夫下村尚治才田大輔川澄 篤原 浩幸伊藤順一藤田 忍東芝エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-126
抄録 (和) MTJをキャッシュメモリに応用することで、プロセッサの消費電力を大幅に低減することが期待されている。しかし、10 ns以下の高速書き込み領域では、MTJの書き込みエネルギーが急速に増大するため、高次のキャッシュメモリに応用することは難しいと考えられてきた。今回、熱擾乱耐性の径依存性を増大させL2からLLCまで同一の積層構造を用いることができる新規MTJを開発した。さらに、新規MTJを高速かつ高信頼に活用するための、キャッシュメモリ回路を開発した。上記技術を用いたMTJベースのキャッシュメモリは、SRAMベースのキャッシュメモリに比べて、2%のオーバーヘッドで75%のエネルギーを削減できることを示した。 
(英) MTJ-based cache memory is expected to reduce processor power significantly. However, write energy increases rapidly for high speed operation and considered not suited for higher level cache memory. In this work, we have developed L2 and L3 cache memory based on thermal stability factor engineered pMTJ with 2T-2MTJ and 1T-1MTJ memory cell and novel error handling scheme. These techniques reduce 75% energy with 2% performance overhead compared to SRAM based L2 and L3 cache memory.
キーワード (和) MTJ / MRAM / STT-MRAM / キャッシュメモリ / ノーマリーオフコンピューティング / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 440, SDM2015-126, pp. 27-30, 2016年1月.
資料番号 SDM2015-126 
発行日 2016-01-21 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2016-01-28 - 2016-01-28 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2016-01-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 次世代垂直磁化MTJを用いた高速・低消費電力のキャッシュメモリ階層技術を持つノーマリーオフプロセッサ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) MTJ based "Normally-off processors" with thermal stability factor engineered perpendicular MTJ, L2 cache based on 2T-2MTJ cell, L3 and Last Level Cache based on 1T-1MTJ cell and novel error handling scheme 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) MTJ /  
キーワード(2)(和/英) MRAM /  
キーワード(3)(和/英) STT-MRAM /  
キーワード(4)(和/英) キャッシュメモリ /  
キーワード(5)(和/英) ノーマリーオフコンピューティング /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 池上 一隆 / Kazutaka Ikegami / イケガミ カズタカ
第1著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporate (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 野口 紘希 / Hiroki Noguchi / ノグチ ヒロキ
第2著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporate (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 高谷 聡 / Satoshi Takaya / タカヤ サトシ
第3著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporate (略称: Toshiba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 鎌田 親義 / Chikayoshi Kamata / カマタ チカヨシ
第4著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporate (略称: Toshiba)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 天野 実 / Minoru Amano / アマノ ミノル
第5著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporate (略称: Toshiba)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 安部 恵子 / Keiko Abe / アベ ケイコ
第6著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporate (略称: Toshiba)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 櫛田 桂一 / Keiichi Kushida / クシダ ケイイチ
第7著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporate (略称: Toshiba)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 北川 英二 / Eiji Kitagawa / キタガワ エイジ
第8著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporate (略称: Toshiba)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 落合 隆夫 / Takao Ochiai / オチアイ タカオ
第9著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporate (略称: Toshiba)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 下村 尚治 / Naoharu Shimomura / シモムラ ナオハル
第10著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporate (略称: Toshiba)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 才田 大輔 / Daisuke Saida / サイダ ダイスケ
第11著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporate (略称: Toshiba)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 川澄 篤 / Atsushi Kawasumi / カワスミ アツシ
第12著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporate (略称: Toshiba)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 原 浩幸 / Hiroyuki Hara / ハラ ヒロユキ
第13著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporate (略称: Toshiba)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 順一 / Junichi Ito / イトウ ジュンイチ
第14著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporate (略称: Toshiba)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤田 忍 / Shinobu Fujita / フジタ シノブ
第15著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporate (略称: Toshiba)
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講演者
発表日時 2016-01-28 15:20:00 
発表時間 30 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2015-126 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.440 
ページ範囲 pp.27-30 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2016-01-21 


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