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講演抄録/キーワード
講演名 2016-01-21 10:55
SOTBを用いたボディバイアス制御によるTLBの省電力化
川瀬大樹奥原 颯天野英晴慶大VLD2015-102 CPSY2015-134 RECONF2015-84
抄録 (和) 極薄の酸化膜層を利用した FD-SOI デバイスである SOTB(Silicon on thin buried oxide) MOSFET では
リーク電力の削減効果が大きく,またボディバイアスを制御することにより消費電力と性能のトレードオフを広範囲
で調整可能である.一方,プロセッサのメモリ管理機構である TLB (Translation Lookaside Buffer) はチップ上のホッ
トスポットになりやすく,チップ全体で消費されるリーク電力のうち,キャ
ッシュと並んで多くの割合を占める.そこ
で我々は SOTB 65nm Technology を TLB に適用し,ボディバイアス制御を行うことでリーク電力の削減を行った.
シミュレーションによる評価の結果,従来の BULK プロセスと比較して,SOTB にボディバイアスを印加した場合に
最大で約 90%のリーク電力を削減出来ることを確認した. 
(英) SOTB(Silicon on thin buried oxide) MOSFET is one of the FD-SOI device with 10nm BOX layer. SOTB
effectively reduces the leakage current and can widely adjust trade-off between power consumption and performance
by controling body-bias. On the other hand, TLB(Translation Lookaside Buffer), which is a memory management
unit for the processors, is tend to become a hot-spot on the chip and occupies large percentages of the total leakage
power on the chip. We applied SOTB 65nm technology to TLB and reduced leakage power by body-bias control.
Evaluation results with simulation show that SOTB using body-bias can reduce the leakage power of TLB by 90%
at maximum.
キーワード (和) SOTB / TLB / ボディバイアス制御 / 省電力化 / リーク電力 / / /  
(英) SOTB / TLB / body-bias control / power reduction / leakage power / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 399, CPSY2015-134, pp. 191-196, 2016年1月.
資料番号 CPSY2015-134 
発行日 2016-01-12 (VLD, CPSY, RECONF) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2015-102 CPSY2015-134 RECONF2015-84

研究会情報
研究会 VLD CPSY RECONF IPSJ-SLDM IPSJ-ARC  
開催期間 2016-01-19 - 2016-01-21 
開催地(和) 慶應義塾大学 日吉キャンパス 
開催地(英) Hiyoshi Campus, Keio University 
テーマ(和) FPGA応用および一般 
テーマ(英) FPGA Applications, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPSY 
会議コード 2016-01-VLD-CPSY-RECONF-SLDM-ARC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SOTBを用いたボディバイアス制御によるTLBの省電力化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Power Reduction of TLB using Body Bias Control on SOTB 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SOTB / SOTB  
キーワード(2)(和/英) TLB / TLB  
キーワード(3)(和/英) ボディバイアス制御 / body-bias control  
キーワード(4)(和/英) 省電力化 / power reduction  
キーワード(5)(和/英) リーク電力 / leakage power  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 川瀬 大樹 / Daiki Kawase / カワセ ダイキ
第1著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥原 颯 / Hayate Okuhara / オクハラ ハヤテ
第2著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 天野 英晴 / Hideharu Amano / アマノ ヒデハル
第3著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
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講演者
発表日時 2016-01-21 10:55:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPSY 
資料番号 IEICE-VLD2015-102,IEICE-CPSY2015-134,IEICE-RECONF2015-84 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.398(VLD), no.399(CPSY), no.400(RECONF) 
ページ範囲 pp.191-196 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-VLD-2016-01-12,IEICE-CPSY-2016-01-12,IEICE-RECONF-2016-01-12 


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