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講演抄録/キーワード
講演名 2016-01-20 15:05
[依頼講演]テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化
高橋 剛川野陽一牧山剛三芝 祥一中舍安宏原 直紀富士通研エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-118
抄録 (和) 300GHz帯の大容量高速無線通信を実現するために、高感度のテラヘルツ受信器が要求される。高速特性に優れたInP HEMTを用いることで、300GHzで23dBの利得を持つICを実現した。このInP HEMTのICは多層配線構造を持つが、ゲート電極の周辺に空洞構造を適用することで寄生容量を低減し、遮断周波数(fT)および最大発振周波数(fmax)を向上させた。特に多段の増幅器を動作させるためには、電力利得すなわちfmaxが高いことが重要である。エピ構造やデバイス構造の最適化を行い、fmaxで660GHzを達成した。さらなるデバイス構造の改善より、fmaxを向上できる見込みを得た。 
(英) High performance THz receivers should be required to realize high-speed wireless radio communications systems for increased data transmission. We developed THz ICs that have a power gain of 23 dB at 300 GHz band by utilizing high-speed InP-based HEMTs. The HEMT improved both cutoff frequency (fT) and maximum frequency of oscillation (fmax) by adopting a cavity structure around the gate region to decrease parasitic capacitances even though they are fully passivated with dielectric films after multilayer interconnections. Mostly, the fmax, i.e. power gain, is important for operating multi-stage amplifiers. We achieved an fmax of 660 GHz after modifying epitaxial layer and device structures. Further improvement in fmax was expected by employing modified device structure.
キーワード (和) InP HEMT / テラヘルツ / 寄生容量 / 空洞 / 遮断周波数 / fmax / 利得 / ドレインコンダクタンス  
(英) InP HEMT / THz / parasitic capacitance / cavity / cutoff frequency / fmax / gain / drain conductance  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 402, ED2015-118, pp. 37-41, 2016年1月.
資料番号 ED2015-118 
発行日 2016-01-13 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2016-01-20 - 2016-01-20 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) パワーデバイスおよび超高周波デバイス/マイクロ波一般 
テーマ(英) Power Devices and High-frequency Devices, Microwave, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2016-01-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Improvement in fmax of InP-based HEMTs for THz ICs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) InP HEMT / InP HEMT  
キーワード(2)(和/英) テラヘルツ / THz  
キーワード(3)(和/英) 寄生容量 / parasitic capacitance  
キーワード(4)(和/英) 空洞 / cavity  
キーワード(5)(和/英) 遮断周波数 / cutoff frequency  
キーワード(6)(和/英) fmax / fmax  
キーワード(7)(和/英) 利得 / gain  
キーワード(8)(和/英) ドレインコンダクタンス / drain conductance  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi / タカハシ ツヨシ
第1著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 川野 陽一 / Yoichi Kawano / カワノ ヨウイチ
第2著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧山 剛三 / Kozo Makiyama / マキヤマ コウゾウ
第3著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 芝 祥一 / Shoichi Shiba / シバ ショウイチ
第4著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha / ナカシャ ヤスヒロ
第5著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ
第6著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
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講演者
発表日時 2016-01-20 15:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2015-118 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.402 
ページ範囲 pp.37-41 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2016-01-13 


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