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| 講演名 | 2016-01-20 14:20 ［依頼講演］GaNショットキーバリアダイオードとマイクロ波無線電力伝送 ○大野泰夫（レーザーシステム）  ED2015-117 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-117 |
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| 抄録 | （和） | GaN系電子デバイスはパワーデバイスとしても優れた特性を持つが、大きなインパクトを持つ応用が現れていない。一方で携帯機器や電気自動車の発展で、無線電力伝送技術が注目されている。周波数はｋHz〜GHzと広く検討されているが、GaNは高周波で大電力が扱えると言うことでマイクロ波を用いる無線電力伝送にはうってつけである。マイクロ波を用いた無線電力伝送の応用分野、システムで使われるデバイス、特に開発が進んでいない受信部の大電力整流ダイオードについて説明する。 |
| （英） | GaN based electron devices have high potential for high frequency, high power applications, but applications with high impact has not yet appeared. Meanwhile, attention has been paid on wireless power transmission for battery charging of mobile equipment and electric vehicles. The frequencies they will use are ranging from kHz to GHz. GaN based devices will be suitable for such applications, especially with microwave. In this article, electron devices for microwave power transmission will be explained including the performance and present status of Schottky barrier diode for microwave rectification will be explained. | |
| キーワード | （和） | マイクロ波 / 無線電力伝送 / ＧａＮ / ショットキーバリアダイオード / / / / |
| （英） | microwave / wireless power transmission / GaN / Schottky barrier diode / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 402, ED2015-117, pp. 31-35, 2016年1月. | |
| 資料番号 | ED2015-117 | |
| 発行日 | 2016-01-13 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-117 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-117 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2016-01-20 - 2016-01-20 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | パワーデバイスおよび超高周波デバイス/マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Power Devices and High-frequency Devices, Microwave, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-01-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaNショットキーバリアダイオードとマイクロ波無線電力伝送 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN Schottky Barrier Diode and Microwave Power Transmission |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波 / microwave |
| キーワード(2)（和/英） | 無線電力伝送 / wireless power transmission |
| キーワード(3)（和/英） | ＧａＮ / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | ショットキーバリアダイオード / Schottky barrier diode |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 泰夫 / Yasuo Ohno / オオノ ヤスオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社レーザーシステム (略称： レーザーシステム) Laser Systems, Inc. (略称： LaS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-01-20 14:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-117 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.402 |
| ページ範囲 | pp.31-35 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-01-13 (ED) |
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