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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-12-22 11:35 レーザー誘起テラヘルツ波放射を用いたGaNの評価 ○酒井裕司・川山 巌（阪大）・中西英俊（SCREEN）・斗内政吉（阪大）  ED2015-106 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-106 |
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| 抄録 | （和） | 次世代デバイス材料として注目を集めているワイドギャップ半導体GaNに対してレーザー誘起テラヘルツ(THz)波放射を用いて測定を行った．面内に放射THz波の強度分布があることがわかり，フォトルミネッセンスの測定と比較した結果，GaNの欠陥，および不純物に由来するイエロールミネッセンスの強度とTHz波の強度に強い相関があることがわかった．THz波強度の励起波長依存性を測定したところ，GaNのバンドギャップエネルギーよりも小さいフォトンエネルギーではTHz波が発生しなくなることから，欠陥/不純物準位を介しての励起は寄与していないことがわかった．考察の結果，欠陥/不純物密度により表面ポテンシャルが大きくなり，THz波が強く放射されたと結論付けた． |
| （英） | Wide-gap semiconductors have received significant attention for their advantages over existing semiconductors. Here, We report studies on laser-induced terahertz (THz) emission from GaN. We found that the THz emission is enhanced by defects related to yellow luminescence, and this phenomenon is explained through the modification of band structures in the surface depletion layer owing to trapped electrons at defect sites. Our results demonstrate that the surface potential in a GaN surface could be detected by laser-induced THz emission. | |
| キーワード | （和） | テラヘルツ / 窒化ガリウム / 表面ポテンシャル / / / / / |
| （英） | Terahertz / GaN / Surface Potential / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 387, ED2015-106, pp. 89-92, 2015年12月. | |
| 資料番号 | ED2015-106 | |
| 発行日 | 2015-12-14 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-106 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-106 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2015-12-21 - 2015-12-22 |
| 開催地（和） | 東北大通研ナノ・スピン棟 |
| 開催地（英） | RIEC, Tohoku Univ |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2015-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | レーザー誘起テラヘルツ波放射を用いたGaNの評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of GaN by using Laser-induced THz emission |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | テラヘルツ / Terahertz |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化ガリウム / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 表面ポテンシャル / Surface Potential |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 裕司 / Yuji Sakai / サカイ ユウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川山 巌 / Iwao Kawayama / カワヤマ イワオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中西 英俊 / Hidetoshi Nakanishi / ナカニシ ヒデトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | SCREEN Holdings (略称： SCREEN) SCREEN Holdings (略称： SCREEN) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斗内 政吉 / Masayoshi Tonouchi / トノウチ マサヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-12-22 11:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-106 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.387 |
| ページ範囲 | pp.89-92 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-12-14 (ED) |
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