電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2015-12-21 13:45
InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICTエレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-92
抄録 (和) 75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を,温度300,220,150,100,77,16 Kにおいて評価し,特性の温度依存性について明らかにした.温度を下げるにつれて,ドレイン電流-電圧(Ids-Vds)特性にキンク領域が明瞭になっていく.特に16 Kにおいては,明瞭な凹部がIds-Vds特性に見られた.最大相互コンダクタンスgmは,300 Kと77 Kの間で冷却につれて増大し,100 Kと77 Kではほぼ同じになる.そして16 Kでは,gmは減少に転じる.このgmの減少はキンク領域に起因していると思われる.遮断周波数fTと最大発振周波数fmaxは温度を下げるにつれて増大する.冷却による増大の程度はfmaxの方がfTよりも大きい.また,fmaxは150 Kと100 Kの間で大きく増大する.一方,77 Kと16 Kの間では,fTとfmaxの増大は非常に小さい.従って,fTとfmaxを高めるためには77 Kまでの冷却で十分であることになる. 
(英) We measured the DC and RF characteristics of InP-based 75-nm-gate In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTs at 300, 220, 150, 100, 77 and 16 K and clarified the effect of temperature on improvement of DC and RF performance. The obvious kink phenomenon is seen in the drain-source current vs. drain-source voltage (Ids-Vds) characteristics with decreasing
temperature. The maximum transconductance gm increases with decreasing temperature between 300 and 77 K and shows the almost same value at 100 and 77 K. At 16 K, the decrease in gm is seen. The decrease in gm at 16 K may result from the kink phenomenon. Cutoff frequency fT and maximum oscillation frequency fmax increase with decreasing temperature. The increase of fmax with decreasing temperature is more than that of fT. The fmax largely increases between 150 and 100 K. Furthermore, the increase of fT and fmax values is very small between 77 and 16 K. This suggests that operating InP HEMTs at 77 K is sufficient to increase fT and fmax values.
キーワード (和) HEMT / InP / InAlAs/InGaAs / 低温特性 / 相互コンダクタンス / 遮断周波数 / 最大発振周波数 /  
(英) HEMTs / InP / InAlAs/InGaAs / Cryogenic characteristics / Transconductance / Cutoff frequency / Maximum oscillation frequency /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 387, ED2015-92, pp. 7-11, 2015年12月.
資料番号 ED2015-92 
発行日 2015-12-14 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2015-12-21 - 2015-12-22 
開催地(和) 東北大通研ナノ・スピン棟 
開催地(英) RIEC, Tohoku Univ 
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
テーマ(英) Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2015-12-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of Temperature on DC and RF Characteristics of Cryogenic InP HEMTs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) HEMT / HEMTs  
キーワード(2)(和/英) InP / InP  
キーワード(3)(和/英) InAlAs/InGaAs / InAlAs/InGaAs  
キーワード(4)(和/英) 低温特性 / Cryogenic characteristics  
キーワード(5)(和/英) 相互コンダクタンス / Transconductance  
キーワード(6)(和/英) 遮断周波数 / Cutoff frequency  
キーワード(7)(和/英) 最大発振周波数 / Maximum oscillation frequency  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 聡 / Akira Endoh / エンドウ アキラ
第1著者 所属(和/英) 情報通信研究機構/富士通研究所 (略称: NICT/富士通研)
National Institute of Information and Communications Technology/Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: NICT/Fujitsu Labs.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ
第2著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 笠松 章史 / Akifumi Kasamatsu / カサマツ アキフミ
第3著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi / タカハシ ツヨシ
第4著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 芝 祥一 / Shoichi Shiba / シバ ショウイチ
第5著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha / ナカシャ ヤスヒロ
第6著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩井 大介 / Taisuke Iwai / イワイ タイスケ
第7著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 三村 高志 / Takashi Mimura / ミムラ タカシ
第8著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所/情報通信研究機構 (略称: 富士通研/NICT)
Fujitsu Laboratories Ltd./National Institute of Information and Communications Technology (略称: Fujitsu Labs./NICT)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2015-12-21 13:45:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2015-92 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.387 
ページ範囲 pp.7-11 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2015-12-14 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会